ULN2003AFWG(CNEHZA Toshiba
Виробник: Toshiba
Транзистор складений Дарлінгтона; Тип стр. = 7 NPN; Uceo, В = 50; Ic = 500 мА; hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мA; Р, Вт = 1,25 Вт; Тексп, °C = -40...+85; Тип монт. = smd; SOICN-16
Транзистор складений Дарлінгтона; Тип стр. = 7 NPN; Uceo, В = 50; Ic = 500 мА; hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мA; Р, Вт = 1,25 Вт; Тексп, °C = -40...+85; Тип монт. = smd; SOICN-16
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ULN2003AFWG(CNEHZA Toshiba
Транзистор складений Дарлінгтона; Тип стр. = 7 NPN; Uceo, В = 50; Ic = 500 мА; hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мA; Р, Вт = 1,25 Вт; Тексп, °C = -40...+85; Тип монт. = smd; SOICN-16.