ULN2003AFWG(M) Toshiba
Виробник: Toshiba
Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 1,25, Тип стр. = 7 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкА, 350 мA, Тексп, °С = -40...+85,... Транзистори Корпус: SOICN-16 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
3-4 дні (днів)
Мінімальна партія:
2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ULN2003AFWG(M) Toshiba
Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 1,25, Тип стр. = 7 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкА, 350 мA, Тексп, °С = -40...+85,... Транзистори Корпус: SOICN-16 Од. вим: шт, кількість в упаковці: 2000 шт.