Продукція > TOSHIBA > ULN2003AFWG(M)

ULN2003AFWG(M) Toshiba

ULN2003_TOS.pdf
Виробник: Toshiba
Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 1,25, Тип стр. = 7 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкА, 350 мA, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-16
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ULN2003AFWG(M) Toshiba

Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 1,25, Тип стр. = 7 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкА, 350 мA, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-16 , кількість в упаковці: 2000 шт.