UM6J1NTN Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 200mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UM6J1NTN Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 150mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 200mA, 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: UMT6.
Інші пропозиції UM6J1NTN за ціною від 9.89 грн до 57.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UM6J1NTN | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.2A 6-Pin UMT T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UM6J1NTN | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.2A 6-Pin UMT T/R |
на замовлення 5892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UM6J1NTN | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.2A 6-Pin UMT T/R |
на замовлення 1944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UM6J1NTN | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs TRANS MOSFET PCH 30V 0.2A 6PIN |
на замовлення 10349 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UM6J1NTN | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 200mA, 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: UMT6 |
на замовлення 4162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| UM6J1NTN |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| UM6J1NTN | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -200mA; Idm: -0.4A; 150mW Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.15W Case: UMT6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -400mA Drain current: -200mA On-state resistance: 2.4Ω Gate-source voltage: ±20V |
товару немає в наявності |