UM6K31NFHATCN ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - UM6K31NFHATCN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 250 mA, 250 mA, 2.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.95 грн |
| 500+ | 9.12 грн |
| 1000+ | 7.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UM6K31NFHATCN ROHM
Description: ROHM - UM6K31NFHATCN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 250 mA, 250 mA, 2.4 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.4ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції UM6K31NFHATCN за ціною від 5.65 грн до 37.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
UM6K31NFHATCN | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A Automotive 6-Pin UMT T/R |
на замовлення 3104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
UM6K31NFHATCN | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: UMT6 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
UM6K31NFHATCN | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - UM6K31NFHATCN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 250 mA, 250 mA, 2.4 ohmtariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 150mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.4ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 150mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UM6K31NFHATCN | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Nch+Nch 60V Vds 3Rds(on) SOT-363 |
на замовлення 2555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
UM6K31NFHATCN | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: UMT6 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |

