Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > UM6K31NTN
UM6K31NTN

UM6K31NTN Rohm Semiconductor

datasheet?p=UM6K31N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.17 грн
6000+6.27 грн
9000+5.95 грн
15000+5.24 грн
21000+5.04 грн
30000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UM6K31NTN Rohm Semiconductor

Description: ROHM - UM6K31NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 250 mA, 250 mA, 1.7 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.7ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції UM6K31NTN за ціною від 6.93 грн до 15.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UM6K31NTN UM6K31NTN Rohm Semiconductor um6k31n-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 6-Pin UMT T/R
на замовлення 7988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1446+9.79 грн
1576+8.98 грн
1624+8.71 грн
2000+8.08 грн
3000+7.45 грн
6000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 1446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K31NTN UM6K31NTN Rohm Semiconductor um6k31n-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 6-Pin UMT T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
930+15.22 грн
965+14.67 грн
1000+14.19 грн
2500+13.28 грн
Мінімальне замовлення: 930 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K31NTN UM6K31NTN ROHM Semiconductor datasheet?p=UM6K31N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A
на замовлення 23721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K31NTN UM6K31NTN ROHM um6k31ntn-e.pdf Description: ROHM - UM6K31NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 250 mA, 250 mA, 1.7 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K31NTN UM6K31NTN Rohm Semiconductor um6k31n-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 6-Pin UMT T/R
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 486 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K31NTN UM6K31NTN ROHM um6k31ntn-e.pdf Description: ROHM - UM6K31NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 250 mA, 250 mA, 1.7 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K31NTN datasheet?p=UM6K31N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K31NTN um6k31n-e.pdf
UM6K31NTN
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 6-Pin UMT T/R
на замовлення 7988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1446+9.79 грн
1576+8.98 грн
1624+8.71 грн
2000+8.08 грн
3000+7.45 грн
6000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 1446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K31NTN um6k31n-e.pdf
UM6K31NTN
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 6-Pin UMT T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
930+15.22 грн
965+14.67 грн
1000+14.19 грн
2500+13.28 грн
Мінімальне замовлення: 930 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K31NTN datasheet?p=UM6K31N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UM6K31NTN
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A
на замовлення 23721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K31NTN um6k31ntn-e.pdf
UM6K31NTN
Виробник: ROHM
Description: ROHM - UM6K31NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 250 mA, 250 mA, 1.7 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K31NTN um6k31n-e.pdf
UM6K31NTN
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 6-Pin UMT T/R
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 486 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K31NTN um6k31ntn-e.pdf
UM6K31NTN
Виробник: ROHM
Description: ROHM - UM6K31NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 250 mA, 250 mA, 1.7 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K31NTN datasheet?p=UM6K31N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.