UM6K31NTN Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.27 грн |
| 6000+ | 5.78 грн |
| 9000+ | 5.2 грн |
| 30000+ | 4.81 грн |
| 75000+ | 4.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UM6K31NTN Rohm Semiconductor
Description: ROHM - UM6K31NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 250 mA, 250 mA, 1.7 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.7ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції UM6K31NTN за ціною від 4.66 грн до 25.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UM6K31NTN | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 6-Pin UMT T/R |
на замовлення 7988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UM6K31NTN | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - UM6K31NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 250 mA, 250 mA, 1.7 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.7ohm Verlustleistung, p-Kanal: 150mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 150mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UM6K31NTN | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 150mW; UMT6 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.25A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.15W Case: UMT6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 2705 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UM6K31NTN | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 6-Pin UMT T/R |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UM6K31NTN | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 150mW; UMT6 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.25A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.15W Case: UMT6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2705 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UM6K31NTN | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - UM6K31NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 250 mA, 250 mA, 1.7 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.7ohm Verlustleistung, p-Kanal: 150mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 150mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UM6K31NTN | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: UMT6 Part Status: Active |
на замовлення 126861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UM6K31NTN | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A |
на замовлення 6701 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UM6K31NTN | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 6-Pin UMT T/R |
на замовлення 843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| UM6K31NTN |
|
на замовлення 72000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |