Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > UM6K31NTN
UM6K31NTN

UM6K31NTN Rohm Semiconductor

datasheet?p=UM6K31N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.31 грн
9000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UM6K31NTN Rohm Semiconductor

Description: ROHM - UM6K31NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 250 mA, 250 mA, 2.4 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.4ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції UM6K31NTN за ціною від 7.14 грн до 41.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UM6K31NTN UM6K31NTN Rohm Semiconductor um6k31n-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 6-Pin UMT T/R
на замовлення 7988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1446+10.09 грн
1576+9.26 грн
1624+8.98 грн
2000+8.34 грн
3000+7.68 грн
6000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 1446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K31NTN UM6K31NTN Rohm Semiconductor um6k31n-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 6-Pin UMT T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
930+15.69 грн
965+15.13 грн
1000+14.63 грн
2500+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 930 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K31NTN UM6K31NTN Rohm Semiconductor datasheet?p=UM6K31N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 57714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.50 грн
14+22.27 грн
50+16.13 грн
100+13.25 грн
500+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K31NTN UM6K31NTN ROHM Semiconductor datasheet?p=UM6K31N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A
на замовлення 5866 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
8+41.66 грн
17+18.40 грн
100+14.00 грн
500+10.52 грн
1000+10.22 грн
3000+7.93 грн
6000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K31NTN UM6K31NTN ROHM um6k31ntn-e.pdf Description: ROHM - UM6K31NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 250 mA, 250 mA, 2.4 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K31NTN UM6K31NTN ROHM um6k31ntn-e.pdf Description: ROHM - UM6K31NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 250 mA, 250 mA, 2.4 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K31NTN UM6K31NTN Rohm Semiconductor um6k31n-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 6-Pin UMT T/R
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 486 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K31NTN um6k31n-e.pdf
UM6K31NTN
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 6-Pin UMT T/R
на замовлення 7988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1446+10.09 грн
1576+9.26 грн
1624+8.98 грн
2000+8.34 грн
3000+7.68 грн
6000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 1446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K31NTN um6k31n-e.pdf
UM6K31NTN
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 6-Pin UMT T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
930+15.69 грн
965+15.13 грн
1000+14.63 грн
2500+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 930 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K31NTN datasheet?p=UM6K31N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UM6K31NTN
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 57714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.50 грн
14+22.27 грн
50+16.13 грн
100+13.25 грн
500+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K31NTN datasheet?p=UM6K31N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UM6K31NTN
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A
на замовлення 5866 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.66 грн
17+18.40 грн
100+14.00 грн
500+10.52 грн
1000+10.22 грн
3000+7.93 грн
6000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K31NTN um6k31ntn-e.pdf
UM6K31NTN
Виробник: ROHM
Description: ROHM - UM6K31NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 250 mA, 250 mA, 2.4 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K31NTN um6k31ntn-e.pdf
UM6K31NTN
Виробник: ROHM
Description: ROHM - UM6K31NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 250 mA, 250 mA, 2.4 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K31NTN um6k31n-e.pdf
UM6K31NTN
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 6-Pin UMT T/R
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 486 шт
В кошику  од. на суму  грн.