Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > UM6K33NTN
UM6K33NTN

UM6K33NTN Rohm Semiconductor

datasheet?p=UM6K33N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 552000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.19 грн
6000+5.39 грн
9000+5.10 грн
15000+4.48 грн
21000+4.30 грн
30000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UM6K33NTN Rohm Semiconductor

Description: ROHM - UM6K33NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції UM6K33NTN за ціною від 3.82 грн до 32.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UM6K33NTN UM6K33NTN Виробник : ROHM ROHMS25786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - UM6K33NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.49 грн
500+6.97 грн
1000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K33NTN UM6K33NTN Виробник : Rohm Semiconductor um6k33n-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 6-Pin UMT T/R
на замовлення 44174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1229+11.36 грн
1365+10.22 грн
1416+9.86 грн
2000+9.03 грн
3000+8.32 грн
6000+7.69 грн
12000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 1229
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K33NTN UM6K33NTN Виробник : Rohm Semiconductor um6k33n-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 6-Pin UMT T/R
на замовлення 2666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
863+16.19 грн
895+15.60 грн
1000+15.09 грн
2500+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 863
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K33NTN UM6K33NTN Виробник : Rohm Semiconductor um6k33n-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 6-Pin UMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
863+16.19 грн
895+15.60 грн
1000+15.09 грн
2500+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 863
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K33NTN UM6K33NTN Виробник : ROHM Semiconductor um6k33n_e-1873471.pdf MOSFETs 1.2V Drive Nch+Nch MOSFET
на замовлення 146843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.63 грн
28+11.84 грн
100+5.29 грн
1000+4.17 грн
3000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K33NTN UM6K33NTN Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=UM6K33N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 563625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.95 грн
18+16.95 грн
100+10.69 грн
500+7.47 грн
1000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K33NTN UM6K33NTN Виробник : ROHM ROHMS25786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - UM6K33NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+32.05 грн
39+21.18 грн
100+9.49 грн
500+6.97 грн
1000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K33NTN datasheet?p=UM6K33N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.