Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > UM6K33NTN
UM6K33NTN

UM6K33NTN Rohm Semiconductor

datasheet?p=UM6K33N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 549000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.18 грн
6000+5.38 грн
9000+5.09 грн
15000+4.48 грн
21000+4.30 грн
30000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UM6K33NTN Rohm Semiconductor

Description: ROHM - UM6K33NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції UM6K33NTN за ціною від 6.05 грн до 28.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UM6K33NTN UM6K33NTN Rohm Semiconductor um6k33n-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 6-Pin UMT T/R
на замовлення 44174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1229+11.51 грн
1365+10.36 грн
1416+9.99 грн
2000+9.16 грн
3000+8.44 грн
6000+7.79 грн
12000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 1229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K33NTN UM6K33NTN Rohm Semiconductor um6k33n-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 6-Pin UMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
863+16.41 грн
895+15.81 грн
1000+15.29 грн
2500+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 863 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K33NTN UM6K33NTN Rohm Semiconductor um6k33n-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 6-Pin UMT T/R
на замовлення 2666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
863+16.41 грн
895+15.81 грн
1000+15.29 грн
2500+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 863 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K33NTN UM6K33NTN ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=UM6K33N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 0.8A; 150mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.15W
Case: UMT6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 7.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2647 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.68 грн
23+18.24 грн
50+12.19 грн
100+10.20 грн
500+7.13 грн
1000+6.30 грн
1500+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K33NTN UM6K33NTN Rohm Semiconductor datasheet?p=UM6K33N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 560119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.67 грн
18+16.94 грн
100+10.68 грн
500+7.46 грн
1000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K33NTN UM6K33NTN ROHM Semiconductor um6k33n_e-1873471.pdf MOSFETs 1.2V Drive Nch+Nch MOSFET
на замовлення 146843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K33NTN UM6K33NTN ROHM ROHMS25786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - UM6K33NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K33NTN UM6K33NTN ROHM ROHMS25786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - UM6K33NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K33NTN datasheet?p=UM6K33N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K33NTN um6k33n-e.pdf
UM6K33NTN
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 6-Pin UMT T/R
на замовлення 44174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1229+11.51 грн
1365+10.36 грн
1416+9.99 грн
2000+9.16 грн
3000+8.44 грн
6000+7.79 грн
12000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 1229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K33NTN um6k33n-e.pdf
UM6K33NTN
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 6-Pin UMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
863+16.41 грн
895+15.81 грн
1000+15.29 грн
2500+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 863 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K33NTN um6k33n-e.pdf
UM6K33NTN
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 6-Pin UMT T/R
на замовлення 2666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
863+16.41 грн
895+15.81 грн
1000+15.29 грн
2500+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 863 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K33NTN datasheet?p=UM6K33N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UM6K33NTN
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 0.8A; 150mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.15W
Case: UMT6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 7.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2647 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+27.68 грн
23+18.24 грн
50+12.19 грн
100+10.20 грн
500+7.13 грн
1000+6.30 грн
1500+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K33NTN datasheet?p=UM6K33N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UM6K33NTN
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 560119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+28.67 грн
18+16.94 грн
100+10.68 грн
500+7.46 грн
1000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K33NTN um6k33n_e-1873471.pdf
UM6K33NTN
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 1.2V Drive Nch+Nch MOSFET
на замовлення 146843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K33NTN ROHMS25786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
UM6K33NTN
Виробник: ROHM
Description: ROHM - UM6K33NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K33NTN ROHMS25786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
UM6K33NTN
Виробник: ROHM
Description: ROHM - UM6K33NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K33NTN datasheet?p=UM6K33N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.