Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > UM6K34NTCN
UM6K34NTCN

UM6K34NTCN Rohm Semiconductor

datasheet?p=UM6K34N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 0.9V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 159000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.41 грн
6000+5.58 грн
9000+5.29 грн
15000+4.65 грн
21000+4.46 грн
30000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UM6K34NTCN Rohm Semiconductor

Description: ROHM - UM6K34NTCN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm, productTraceability: No, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції UM6K34NTCN за ціною від 3.91 грн до 29.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UM6K34NTCN UM6K34NTCN Виробник : ROHM ROHMS25787-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - UM6K34NTCN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 18550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.72 грн
500+6.51 грн
1000+4.54 грн
5000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K34NTCN UM6K34NTCN Виробник : Rohm Semiconductor um6k34ntcn-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 6-Pin UMT T/R
на замовлення 28349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1327+9.75 грн
1446+8.95 грн
1490+8.68 грн
2000+8.03 грн
3000+7.40 грн
6000+6.88 грн
12000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 1327
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K34NTCN UM6K34NTCN Виробник : Rohm Semiconductor um6k34ntcn-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 6-Pin UMT T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
840+15.41 грн
872+14.85 грн
1000+14.37 грн
2500+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 840
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K34NTCN UM6K34NTCN Виробник : ROHM Semiconductor um6k34ntcn_e-1873442.pdf MOSFETs 10V Drive N Ch MOSFET
на замовлення 4324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.73 грн
23+14.06 грн
100+5.45 грн
1000+4.26 грн
3000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K34NTCN UM6K34NTCN Виробник : ROHM ROHMS25787-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - UM6K34NTCN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 18550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+29.76 грн
38+21.69 грн
100+8.72 грн
500+6.51 грн
1000+4.54 грн
5000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K34NTCN UM6K34NTCN Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=UM6K34N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 0.9V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 159879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.87 грн
18+17.56 грн
100+11.05 грн
500+7.73 грн
1000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.