UM6K34NTCN Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 0.9V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.43 грн |
| 6000+ | 5.61 грн |
| 9000+ | 5.31 грн |
| 15000+ | 4.66 грн |
| 21000+ | 4.48 грн |
| 30000+ | 4.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UM6K34NTCN Rohm Semiconductor
Description: ROHM - UM6K34NTCN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm, productTraceability: No, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції UM6K34NTCN за ціною від 6.90 грн до 30.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
UM6K34NTCN | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 6-Pin UMT T/R |
на замовлення 28349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
UM6K34NTCN | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 6-Pin UMT T/R |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
UM6K34NTCN | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 120mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 0.9V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA Supplier Device Package: UMT6 Part Status: Active |
на замовлення 103851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
UM6K34NTCN | ROHM Semiconductor |
MOSFETs 10V Drive N Ch MOSFET |
на замовлення 4324 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
UM6K34NTCN | ROHM |
Description: ROHM - UM6K34NTCN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohmtariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 150mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm productTraceability: No Verlustleistung, n-Kanal: 150mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 18550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
UM6K34NTCN | ROHM |
Description: ROHM - UM6K34NTCN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohmtariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 150mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm productTraceability: No Verlustleistung, n-Kanal: 150mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 18550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| UM6K34NTCN |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 6-Pin UMT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 6-Pin UMT T/R
на замовлення 28349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1327+ | 10.66 грн |
| 1446+ | 9.79 грн |
| 1490+ | 9.50 грн |
| 2000+ | 8.78 грн |
| 3000+ | 8.09 грн |
| 6000+ | 7.52 грн |
| 12000+ | 7.15 грн |
| UM6K34NTCN |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 6-Pin UMT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 6-Pin UMT T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 840+ | 16.85 грн |
| 872+ | 16.24 грн |
| 1000+ | 15.71 грн |
| 2500+ | 14.70 грн |
| UM6K34NTCN |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 0.9V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 0.9V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 103851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 30.22 грн |
| 17+ | 17.61 грн |
| 100+ | 11.10 грн |
| 500+ | 7.76 грн |
| 1000+ | 6.90 грн |
| UM6K34NTCN |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 10V Drive N Ch MOSFET
MOSFETs 10V Drive N Ch MOSFET
на замовлення 4324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| UM6K34NTCN |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - UM6K34NTCN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - UM6K34NTCN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 18550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| UM6K34NTCN |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - UM6K34NTCN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - UM6K34NTCN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 18550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




