
UMD12NFHATR ROHM Semiconductor
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 37.42 грн |
16+ | 22.45 грн |
100+ | 9.32 грн |
1000+ | 8.37 грн |
3000+ | 5.21 грн |
9000+ | 5.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UMD12NFHATR ROHM Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased, Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: UMT6, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції UMD12NFHATR за ціною від 7.35 грн до 33.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
UMD12NFHATR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: UMT6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
UMD12NFHATR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: UMT6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|