Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > UMD22NFHATR
UMD22NFHATR

UMD22NFHATR Rohm Semiconductor

datasheet?p=UMD22NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.71 грн
6000+6.74 грн
9000+6.39 грн
15000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UMD22NFHATR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - UMD22NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції UMD22NFHATR за ціною від 8.17 грн до 35.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UMD22NFHATR UMD22NFHATR Rohm Semiconductor umd22nfha-e.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin UMT T/R
на замовлення 23350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
667+21.22 грн
732+19.33 грн
737+19.22 грн
1000+15.12 грн
2000+13.05 грн
3000+8.59 грн
12000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 667 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD22NFHATR UMD22NFHATR Rohm Semiconductor datasheet?p=UMD22NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.65 грн
15+20.74 грн
100+13.15 грн
500+9.24 грн
1000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD22NFHATR UMD22NFHATR ROHM Semiconductor datasheet?p=UMD22NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors SOT-363 BIPOLAR BJT NPN+PNP
на замовлення 9431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD22NFHATR UMD22NFHATR ROHM datasheet?p=UMD22NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - UMD22NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD22NFHATR UMD22NFHATR ROHM umd22nfha-e.pdf Description: ROHM - UMD22NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD22NFHATR umd22nfha-e.pdf
UMD22NFHATR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin UMT T/R
на замовлення 23350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
667+21.22 грн
732+19.33 грн
737+19.22 грн
1000+15.12 грн
2000+13.05 грн
3000+8.59 грн
12000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 667 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD22NFHATR datasheet?p=UMD22NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMD22NFHATR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.65 грн
15+20.74 грн
100+13.15 грн
500+9.24 грн
1000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD22NFHATR datasheet?p=UMD22NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMD22NFHATR
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors SOT-363 BIPOLAR BJT NPN+PNP
на замовлення 9431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD22NFHATR datasheet?p=UMD22NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMD22NFHATR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - UMD22NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD22NFHATR umd22nfha-e.pdf
UMD22NFHATR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - UMD22NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.