UMD2N-TR Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 109+ | 6.94 грн |
| 154+ | 4.90 грн |
| 156+ | 4.86 грн |
| 157+ | 4.64 грн |
| 262+ | 2.58 грн |
| 356+ | 1.82 грн |
| 500+ | 1.80 грн |
| 1000+ | 0.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UMD2N-TR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - UMD2NTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: UMD2N Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції UMD2N-TR за ціною від 5.10 грн до 34.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
UMD2NTR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: UMT6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UMD2N-TR | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R |
на замовлення 3700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UMD2N-TR | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UMD2NTR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6Supplier Device Package: UMT6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 150mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 4059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
UMD2NTR | ROHM Semiconductor |
Digital Transistors NPN/PNP 50V 30MA |
на замовлення 8608 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
UMD2NTR | ROHM |
Description: ROHM - UMD2NTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: UMD2N Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
UMD2N-TR | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1042 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| UMD2NTR | ROHM |
|
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| UMD2 NTR | ROHM | 97+ |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| UMD2 N TR | ROHM | SOT26/SOT363 |
на замовлення 2999 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| UMD2NTR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.66 грн |
| UMD2N-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1715+ | 8.25 грн |
| 1878+ | 7.53 грн |
| 2190+ | 6.46 грн |
| 2315+ | 5.89 грн |
| 3000+ | 5.10 грн |
| UMD2N-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 665+ | 21.28 грн |
| 690+ | 20.52 грн |
| 1000+ | 19.85 грн |
| 2500+ | 18.57 грн |
| UMD2NTR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Supplier Device Package: UMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Supplier Device Package: UMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 34.87 грн |
| 15+ | 20.60 грн |
| 100+ | 13.06 грн |
| 500+ | 9.18 грн |
| 1000+ | 8.18 грн |
| UMD2NTR |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors NPN/PNP 50V 30MA
Digital Transistors NPN/PNP 50V 30MA
на замовлення 8608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| UMD2NTR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - UMD2NTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: UMD2N Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - UMD2NTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: UMD2N Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| UMD2N-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| UMD2NTR |
![]() |
Виробник: ROHM
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)





