Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > UMD3NFHATR
UMD3NFHATR

UMD3NFHATR Rohm Semiconductor

umd3nfhatr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin UMT T/R
на замовлення 5490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
612+26.59 грн
Мінімальне замовлення: 612 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UMD3NFHATR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - UMD3NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN+PNP, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції UMD3NFHATR за ціною від 7.90 грн до 34.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UMD3NFHATR UMD3NFHATR Rohm Semiconductor datasheet?p=UMD3NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN+PNP 50V UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN + PNP
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.10 грн
16+19.85 грн
100+12.60 грн
500+8.86 грн
1000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD3NFHATR UMD3NFHATR ROHM Semiconductor datasheet?p=UMD3NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors TRANS-SS NPN/PNP SOT363 50V
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD3NFHATR UMD3NFHATR ROHM umd3nfhatr-e.pdf Description: ROHM - UMD3NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN+PNP, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD3NFHATR UMD3NFHATR ROHM umd3nfhatr-e.pdf Description: ROHM - UMD3NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN+PNP, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD3 NFHATR ROHM SOT26/SOT363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD3NFHATR datasheet?p=UMD3NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMD3NFHATR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN+PNP 50V UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN + PNP
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.10 грн
16+19.85 грн
100+12.60 грн
500+8.86 грн
1000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD3NFHATR datasheet?p=UMD3NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMD3NFHATR
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors TRANS-SS NPN/PNP SOT363 50V
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD3NFHATR umd3nfhatr-e.pdf
UMD3NFHATR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - UMD3NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN+PNP, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD3NFHATR umd3nfhatr-e.pdf
UMD3NFHATR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - UMD3NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN+PNP, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD3 NFHATR
Виробник: ROHM
SOT26/SOT363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.