Технічний опис UMG8NTR Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT5, Part Status: Active, Supplier Device Package: UMT5, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 150mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції UMG8NTR за ціною від 7.75 грн до 29.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UMG8NTR | Rohm Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 5-Pin UMT T/R |
на замовлення 9641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
UMG8NTR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT5 Part Status: Active Supplier Device Package: UMT5 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 150mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
UMG8NTR | ROHM Semiconductor |
Digital Transistors DUAL NPN 50V 100MA |
на замовлення 3610 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
UMG8NTR | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 5-Pin UMT T/R |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 105 шт В кошику од. на суму грн. |
| UMG8NTR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 5-Pin UMT T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 5-Pin UMT T/R
на замовлення 9641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 703+ | 25.84 грн |
| 1095+ | 12.92 грн |
| 2000+ | 12.82 грн |
| 3000+ | 11.55 грн |
| UMG8NTR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT5
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT5
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT5
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT5
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 29.45 грн |
| 18+ | 17.46 грн |
| 100+ | 11.05 грн |
| 500+ | 7.75 грн |
| UMG8NTR |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors DUAL NPN 50V 100MA
Digital Transistors DUAL NPN 50V 100MA
на замовлення 3610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| UMG8NTR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 5-Pin UMT T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 5-Pin UMT T/R
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)