Продукція > ROHM > UMH3NFHATN
UMH3NFHATN

UMH3NFHATN ROHM


umh3nfha-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - UMH3NFHATN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach NPN, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1993 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.95 грн
1000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UMH3NFHATN ROHM

Description: ROHM - UMH3NFHATN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach NPN, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції UMH3NFHATN за ціною від 3.96 грн до 26.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UMH3NFHATN UMH3NFHATN Виробник : Rohm Semiconductor umh3nfha-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin UMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
778+16.00 грн
1486+8.37 грн
2000+7.81 грн
3000+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 778
В кошику  од. на суму  грн.
UMH3NFHATN UMH3NFHATN Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=UMH3NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.51 грн
24+13.59 грн
100+8.47 грн
500+5.87 грн
1000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
UMH3NFHATN UMH3NFHATN Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=UMH3NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors NPN+NPN SOT-363 4.7kO Input Resist
на замовлення 9912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+24.91 грн
24+14.91 грн
100+8.15 грн
500+5.98 грн
1000+5.20 грн
3000+4.43 грн
6000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
UMH3NFHATN UMH3NFHATN Виробник : ROHM umh3nfha-e.pdf Description: ROHM - UMH3NFHATN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach NPN, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+26.56 грн
55+16.11 грн
100+10.10 грн
500+6.95 грн
1000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
UMH3NFHATN
Код товару: 208037
Додати до обраних Обраний товар

datasheet?p=UMH3NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMH3NFHATN UMH3NFHATN Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=UMH3NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.