UMH3NTN Rohm Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1596+ | 7.66 грн |
| 1651+ | 7.41 грн |
| 2500+ | 7.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UMH3NTN Rohm Semiconductor
Description: ROHM - UMH3NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: UMH3N Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції UMH3NTN за ціною від 6.41 грн до 37.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UMH3NTN | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: UMT6 Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UMH3NTN | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - UMH3NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: UMH3N Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UMH3NTN | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R |
на замовлення 9153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UMH3NTN | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: UMT6 Part Status: Active |
на замовлення 5907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UMH3NTN | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - UMH3NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: UMH3N Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UMH3NTN | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors DUAL NPN 50V 100MA SOT-363 |
на замовлення 11525 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UMH3NTN | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R |
на замовлення 2947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UMH3NTN | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
UMH3NTN | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC88,SOT363 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC88; SOT363 Current gain: 100...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 4.7kΩ |
товару немає в наявності |