Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > UMH3NTN
UMH3NTN

UMH3NTN Rohm Semiconductor

datasheet?p=UMH3N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.46 грн
6000+6.52 грн
9000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UMH3NTN Rohm Semiconductor

Description: ROHM - UMH3NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: UMH3N Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

Інші пропозиції UMH3NTN за ціною від 5.58 грн до 43.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UMH3NTN UMH3NTN Rohm Semiconductor emh3t2r-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1241+11.40 грн
1284+11.02 грн
2500+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 1241 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH3NTN UMH3NTN Rohm Semiconductor emh3t2r-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 9093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+26.03 грн
859+16.48 грн
1161+12.18 грн
1320+10.34 грн
3000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH3NTN UMH3NTN Rohm Semiconductor emh3t2r-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 9093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+26.04 грн
100+16.48 грн
500+12.18 грн
1000+10.34 грн
3000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH3NTN UMH3NTN Rohm Semiconductor datasheet?p=UMH3N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 14895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.10 грн
15+20.07 грн
100+12.73 грн
500+8.95 грн
1000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH3NTN UMH3NTN Rohm Semiconductor emh3t2r-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 2847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+43.80 грн
Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH3NTN UMH3NTN ROHM Semiconductor datasheet?p=UMH3N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors DUAL NPN 50V 100MA SOT-363
на замовлення 13435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMH3NTN UMH3NTN ROHM umh3ntn-e.pdf Description: ROHM - UMH3NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: UMH3N Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH3NTN UMH3NTN ROHM umh3ntn-e.pdf Description: ROHM - UMH3NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: UMH3N Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH3NTN emh3t2r-e.pdf
UMH3NTN
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1241+11.40 грн
1284+11.02 грн
2500+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 1241 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH3NTN emh3t2r-e.pdf
UMH3NTN
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 9093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
544+26.03 грн
859+16.48 грн
1161+12.18 грн
1320+10.34 грн
3000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH3NTN emh3t2r-e.pdf
UMH3NTN
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 9093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+26.04 грн
100+16.48 грн
500+12.18 грн
1000+10.34 грн
3000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH3NTN datasheet?p=UMH3N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMH3NTN
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 14895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.10 грн
15+20.07 грн
100+12.73 грн
500+8.95 грн
1000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH3NTN emh3t2r-e.pdf
UMH3NTN
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 2847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
650+43.80 грн
Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH3NTN datasheet?p=UMH3N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMH3NTN
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors DUAL NPN 50V 100MA SOT-363
на замовлення 13435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMH3NTN umh3ntn-e.pdf
UMH3NTN
Виробник: ROHM
Description: ROHM - UMH3NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: UMH3N Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH3NTN umh3ntn-e.pdf
UMH3NTN
Виробник: ROHM
Description: ROHM - UMH3NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: UMH3N Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.