Продукція > ON SEMICONDUCTOR > UMZ1NT1G
UMZ1NT1G

UMZ1NT1G ON Semiconductor

umz1nt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.64 грн
6000+2.60 грн
18000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UMZ1NT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - UMZ1NT1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 250 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 114MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 250mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA, Übergangsfrequenz, PNP: 114MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 250mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції UMZ1NT1G за ціною від 2.32 грн до 17.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UMZ1NT1G UMZ1NT1G Виробник : ON Semiconductor umz1nt1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5245+2.65 грн
6000+2.62 грн
18000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 5245
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G UMZ1NT1G Виробник : ON Semiconductor umz1nt1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.68 грн
6000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G UMZ1NT1G Виробник : ON Semiconductor umz1nt1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5191+2.68 грн
6000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 5191
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G UMZ1NT1G Виробник : onsemi umz1nt1-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 114MHz, 142MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.26 грн
6000+2.81 грн
9000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G UMZ1NT1G Виробник : ONSEMI umz1nt1-d.pdf Description: ONSEMI - UMZ1NT1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 250 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 114MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 250mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 114MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 250mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.76 грн
1500+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G UMZ1NT1G Виробник : ON Semiconductor umz1nt1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2420+5.75 грн
2443+5.70 грн
2885+4.83 грн
3226+4.16 грн
3555+3.50 грн
6000+3.01 грн
15000+2.67 грн
30000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 2420
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G UMZ1NT1G Виробник : ON Semiconductor umz1nt1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
54+13.96 грн
79+9.42 грн
80+9.33 грн
130+5.55 грн
250+5.09 грн
500+4.14 грн
1000+3.70 грн
3000+3.36 грн
6000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G UMZ1NT1G Виробник : onsemi umz1nt1-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 114MHz, 142MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 13742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.61 грн
32+9.47 грн
100+5.86 грн
500+4.03 грн
1000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G UMZ1NT1G Виробник : onsemi umz1nt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V Dual Complementary
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+16.03 грн
33+9.81 грн
100+5.34 грн
500+3.89 грн
1000+3.47 грн
3000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G UMZ1NT1G Виробник : ONSEMI 2355582.pdf Description: ONSEMI - UMZ1NT1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 250 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 114MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 250mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 114MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 250mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+17.08 грн
80+10.12 грн
125+6.52 грн
500+4.69 грн
1500+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G Виробник : ON Semiconductor umz1nt1-d.pdf
на замовлення 3922 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.