Продукція > ON SEMICONDUCTOR > UMZ1NT1G
UMZ1NT1G

UMZ1NT1G ON Semiconductor

umz1nt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UMZ1NT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - UMZ1NT1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 250 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 114MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 250mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA, Übergangsfrequenz, PNP: 114MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 250mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції UMZ1NT1G за ціною від 2.13 грн до 20.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UMZ1NT1G UMZ1NT1G Виробник : ON Semiconductor umz1nt1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5245+2.43 грн
6000+2.40 грн
18000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 5245
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G UMZ1NT1G Виробник : ON Semiconductor umz1nt1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5191+2.46 грн
6000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 5191
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G UMZ1NT1G Виробник : ON Semiconductor umz1nt1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.59 грн
6000+2.55 грн
18000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G UMZ1NT1G Виробник : ON Semiconductor umz1nt1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.63 грн
6000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G UMZ1NT1G Виробник : onsemi umz1nt1-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 114MHz, 142MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.55 грн
6000+3.07 грн
9000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G UMZ1NT1G Виробник : ONSEMI umz1nt1-d.pdf Description: ONSEMI - UMZ1NT1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 250 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 114MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 250mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 114MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 250mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.10 грн
1500+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G UMZ1NT1G Виробник : ON Semiconductor umz1nt1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2420+5.27 грн
2443+5.22 грн
2885+4.42 грн
3226+3.81 грн
3555+3.21 грн
6000+2.76 грн
15000+2.44 грн
30000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 2420
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G UMZ1NT1G Виробник : ON Semiconductor umz1nt1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
54+13.71 грн
79+9.25 грн
80+9.16 грн
130+5.45 грн
250+5.00 грн
500+4.06 грн
1000+3.63 грн
3000+3.30 грн
6000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G UMZ1NT1G Виробник : onsemi umz1nt1-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 114MHz, 142MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 13742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.03 грн
32+10.33 грн
100+6.40 грн
500+4.40 грн
1000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G UMZ1NT1G Виробник : ONSEMI 2355582.pdf Description: ONSEMI - UMZ1NT1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 250 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 114MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 250mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 114MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 250mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+18.63 грн
80+11.04 грн
125+7.12 грн
500+5.12 грн
1500+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G UMZ1NT1G Виробник : onsemi UMZ1NT1_D-2320068.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V Dual Complementary
на замовлення 30444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+20.48 грн
30+12.13 грн
100+4.80 грн
1000+3.86 грн
3000+2.68 грн
9000+2.60 грн
24000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G Виробник : ON Semiconductor umz1nt1-d.pdf
на замовлення 3922 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.