Продукція > ON SEMICONDUCTOR > UMZ1NT1G
UMZ1NT1G

UMZ1NT1G ON Semiconductor

umz1nt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.79 грн
6000+2.75 грн
18000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UMZ1NT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - UMZ1NT1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 250 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 114MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 250mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA, Übergangsfrequenz, PNP: 114MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 250mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції UMZ1NT1G за ціною від 2.46 грн до 18.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UMZ1NT1G UMZ1NT1G ON Semiconductor umz1nt1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5245+2.81 грн
6000+2.77 грн
18000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 5245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G UMZ1NT1G ON Semiconductor umz1nt1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.84 грн
6000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G UMZ1NT1G ON Semiconductor umz1nt1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5191+2.84 грн
6000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 5191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G UMZ1NT1G onsemi umz1nt1-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 114MHz, 142MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.33 грн
6000+2.87 грн
9000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G UMZ1NT1G ON Semiconductor umz1nt1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2420+6.09 грн
2443+6.03 грн
2885+5.11 грн
3226+4.41 грн
3555+3.70 грн
6000+3.18 грн
15000+2.82 грн
30000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 2420 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G UMZ1NT1G ON Semiconductor umz1nt1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+14.78 грн
79+9.98 грн
80+9.88 грн
130+5.88 грн
250+5.39 грн
500+4.38 грн
1000+3.92 грн
3000+3.55 грн
6000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G UMZ1NT1G onsemi umz1nt1-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 114MHz, 142MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 13742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.97 грн
32+9.69 грн
100+6.00 грн
500+4.12 грн
1000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G UMZ1NT1G onsemi umz1nt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V Dual Complementary
на замовлення 10837 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
17+18.99 грн
28+11.41 грн
100+6.13 грн
500+4.47 грн
1000+3.94 грн
3000+3.26 грн
9000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G UMZ1NT1G ONSEMI 2355582.pdf Description: ONSEMI - UMZ1NT1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 250 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 114MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 250mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 114MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 250mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G UMZ1NT1G ONSEMI umz1nt1-d.pdf Description: ONSEMI - UMZ1NT1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 250 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 114MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 250mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 114MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 250mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G umz1nt1-d.pdf
UMZ1NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5245+2.81 грн
6000+2.77 грн
18000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 5245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G umz1nt1-d.pdf
UMZ1NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.84 грн
6000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G umz1nt1-d.pdf
UMZ1NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5191+2.84 грн
6000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 5191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G umz1nt1-d.pdf
UMZ1NT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 114MHz, 142MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.33 грн
6000+2.87 грн
9000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G umz1nt1-d.pdf
UMZ1NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2420+6.09 грн
2443+6.03 грн
2885+5.11 грн
3226+4.41 грн
3555+3.70 грн
6000+3.18 грн
15000+2.82 грн
30000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 2420 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G umz1nt1-d.pdf
UMZ1NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
54+14.78 грн
79+9.98 грн
80+9.88 грн
130+5.88 грн
250+5.39 грн
500+4.38 грн
1000+3.92 грн
3000+3.55 грн
6000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G umz1nt1-d.pdf
UMZ1NT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 114MHz, 142MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 13742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.97 грн
32+9.69 грн
100+6.00 грн
500+4.12 грн
1000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G umz1nt1-d.pdf
UMZ1NT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V Dual Complementary
на замовлення 10837 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.99 грн
28+11.41 грн
100+6.13 грн
500+4.47 грн
1000+3.94 грн
3000+3.26 грн
9000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G 2355582.pdf
UMZ1NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UMZ1NT1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 250 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 114MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 250mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 114MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 250mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ1NT1G umz1nt1-d.pdf
UMZ1NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UMZ1NT1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 250 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 114MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 250mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 114MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 250mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.