UMZ1NT1G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.67 грн |
| 6000+ | 2.63 грн |
| 18000+ | 2.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UMZ1NT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - UMZ1NT1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 250 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 114MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 250mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA, Übergangsfrequenz, PNP: 114MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 250mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції UMZ1NT1G за ціною від 2.35 грн до 15.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
UMZ1NT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
UMZ1NT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
UMZ1NT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
UMZ1NT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC88/SC70Part Status: Active Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Frequency - Transition: 114MHz, 142MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Power - Max: 250mW Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
UMZ1NT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
UMZ1NT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
UMZ1NT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC88/SC70Part Status: Active Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Frequency - Transition: 114MHz, 142MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Power - Max: 250mW Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 13742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
UMZ1NT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V Dual Complementary |
на замовлення 123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
UMZ1NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UMZ1NT1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 250 mWtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 114MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 250mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA Übergangsfrequenz, PNP: 114MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 250mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
UMZ1NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UMZ1NT1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 250 mWtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 114MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 250mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA Übergangsfrequenz, PNP: 114MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 250mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 4845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| UMZ1NT1G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 3922 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| UMZ1NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5245+ | 2.69 грн |
| 6000+ | 2.65 грн |
| 18000+ | 2.63 грн |
| UMZ1NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.72 грн |
| 6000+ | 2.69 грн |
| UMZ1NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5191+ | 2.72 грн |
| 6000+ | 2.69 грн |
| UMZ1NT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC88/SC70
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Frequency - Transition: 114MHz, 142MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 250mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC88/SC70
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Frequency - Transition: 114MHz, 142MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 250mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.23 грн |
| 6000+ | 2.78 грн |
| 9000+ | 2.62 грн |
| UMZ1NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2420+ | 5.83 грн |
| 2443+ | 5.78 грн |
| 2885+ | 4.89 грн |
| 3226+ | 4.22 грн |
| 3555+ | 3.54 грн |
| 6000+ | 3.05 грн |
| 15000+ | 2.70 грн |
| 30000+ | 2.35 грн |
| UMZ1NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 54+ | 14.15 грн |
| 79+ | 9.55 грн |
| 80+ | 9.46 грн |
| 130+ | 5.62 грн |
| 250+ | 5.16 грн |
| 500+ | 4.19 грн |
| 1000+ | 3.75 грн |
| 3000+ | 3.40 грн |
| 6000+ | 3.05 грн |
| UMZ1NT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC88/SC70
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Frequency - Transition: 114MHz, 142MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 250mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC88/SC70
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Frequency - Transition: 114MHz, 142MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 250mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 15.46 грн |
| 32+ | 9.38 грн |
| 100+ | 5.81 грн |
| 500+ | 3.99 грн |
| 1000+ | 3.52 грн |
| UMZ1NT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V Dual Complementary
Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V Dual Complementary
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| UMZ1NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UMZ1NT1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 250 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 114MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 250mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 114MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 250mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - UMZ1NT1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 250 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 114MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 250mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 114MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 250mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| UMZ1NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UMZ1NT1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 250 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 114MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 250mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 114MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 250mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - UMZ1NT1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 250 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 114MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 250mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 114MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 250mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| UMZ1NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 3922 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)





