Продукція > PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS > UNR221E00L
UNR221E00L

UNR221E00L Panasonic Electronic Components

UNR221x_Series_Rev_Nov_2011.pdf Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A MINI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+11.53 грн
40+ 7.08 грн
100+ 5.08 грн
500+ 4 грн
1000+ 3.75 грн
Мінімальне замовлення: 25
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UNR221E00L Panasonic Electronic Components

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A MINI3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: Mini3-G1, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 150 MHz, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms.

Інші пропозиції UNR221E00L

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
UNR221E00L UNR221E00L Виробник : Panasonic Electronic Components UNR221x_Series_Rev_Nov_2011.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товар відсутній