UNR921MJ0L

UNR921MJ0L Panasonic Electronic Components


UNR921xJ_Series_Rev_Jan_2004.pdf Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SSMINI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SSMini3-F1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 125 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.92 грн
32+9.66 грн
100+6.74 грн
500+5.21 грн
1000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UNR921MJ0L Panasonic Electronic Components

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SSMINI3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-89, SOT-490, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SSMini3-F1, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 125 mW, Frequency - Transition: 150 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції UNR921MJ0L

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UNR921MJ0L Виробник : PAN UNR921xJ_Series_Rev_Jan_2004.pdf SOT-323
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UNR921MJ0L UNR921MJ0L Виробник : Panasonic Electronic Components UNR921xJ_Series_Rev_Jan_2004.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SSMINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SSMini3-F1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 125 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.