UPA2463T1Q-E1-AX Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 20V 6A 8HUSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Supplier Device Package: 8-HUSON (2.7x2)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 6A 8HUSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Supplier Device Package: 8-HUSON (2.7x2)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 605+ | 36.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UPA2463T1Q-E1-AX Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 20V 6A 8HUSON, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Supplier Device Package: 8-HUSON (2.7x2), Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V.
Інші пропозиції UPA2463T1Q-E1-AX
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| UPA2463T1Q-E1-AX | Виробник : RENESAS | QFN |
на замовлення 2915 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |