UPA2737GR-E1-AX

UPA2737GR-E1-AX Renesas Electronics America Inc


upa2737gr-data-sheet Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+47.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UPA2737GR-E1-AX Renesas Electronics America Inc

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V.

Інші пропозиції UPA2737GR-E1-AX

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
UPA2737GR-E1-AX UPA2737GR-E1-AX Виробник : Renesas Electronics REN_r07ds1317ej0100_pomosfet_DST_20160112-2930649.pdf MOSFET POWER TRS2
товар відсутній