Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > UPA2815T1S-E2-AT
UPA2815T1S-E2-AT

UPA2815T1S-E2-AT Renesas Electronics Corporation

upa2815t1s-datasheet?language=en Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+34.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UPA2815T1S-E2-AT Renesas Electronics Corporation

Description: MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 21A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 10 V.

Інші пропозиції UPA2815T1S-E2-AT за ціною від 110.68 грн до 110.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UPA2815T1S-E2-AT UPA2815T1S-E2-AT Виробник : Renesas Electronics Corporation upa2815t1s-datasheet?language=en Description: MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2815T1S-E2-AT UPA2815T1S-E2-AT Виробник : Renesas Electronics r07ds0777ej0101_pomosfet-1093114.pdf MOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.