UPA2815T1S-E2-AT Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 35.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UPA2815T1S-E2-AT Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 21A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 10 V.
Інші пропозиції UPA2815T1S-E2-AT за ціною від 111.94 грн до 111.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
UPA2815T1S-E2-AT | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
Description: MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 10 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
UPA2815T1S-E2-AT | Виробник : Renesas Electronics |
MOSFET MOSFET |
товару немає в наявності |