Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > UPA2826T1S-E2-AT
UPA2826T1S-E2-AT

UPA2826T1S-E2-AT Renesas Electronics Corporation

upa2826t1s-data-sheet
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: 8P HWSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 20W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 13.5A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+48.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UPA2826T1S-E2-AT Renesas Electronics Corporation

Description: 8P HWSON, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 20W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 13.5A, 8V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції UPA2826T1S-E2-AT за ціною від 45.95 грн до 120.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UPA2826T1S-E2-AT UPA2826T1S-E2-AT Renesas Electronics Corporation upa2826t1s-data-sheet Description: 8P HWSON
Power Dissipation (Max): 20W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 13.5A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 7189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.11 грн
10+96.11 грн
100+71.42 грн
500+54.59 грн
1000+49.52 грн
2000+45.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2826T1S-E2-AT UPA2826T1S-E2-AT Renesas Electronics upa2826t1s-data-sheet MOSFETs POWER TRANSISTOR MOS-IC
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2826T1S-E2-AT upa2826t1s-data-sheet
UPA2826T1S-E2-AT
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: 8P HWSON
Power Dissipation (Max): 20W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 13.5A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 7189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+120.11 грн
10+96.11 грн
100+71.42 грн
500+54.59 грн
1000+49.52 грн
2000+45.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2826T1S-E2-AT upa2826t1s-data-sheet
UPA2826T1S-E2-AT
Виробник: Renesas Electronics
MOSFETs POWER TRANSISTOR MOS-IC
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.