
UPR30e3/TR13 Microchip Technology

Description: DIODE GEN PURP 300V 2A POWERMITE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-216AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Powermite
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UPR30e3/TR13 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 300V 2A POWERMITE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-216AA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: Powermite, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V.
Інші пропозиції UPR30e3/TR13
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
UPR30e3/TR13 | Виробник : Microsemi |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
UPR30e3/TR13 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |