UPTB10E3/TR7 MICROSEMI
Виробник: MICROSEMIDO-216AA/1000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE UPTB10
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UPTB10E3/TR7 MICROSEMI
Description: TVS DIODE 10VWM 18VC POWERMITE 1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-216AA, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.33A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V, Supplier Device Package: Powermite 1 (DO216-AA), Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 11V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18V, Power - Peak Pulse: 1000W (1kW), Power Line Protection: No.
Інші пропозиції UPTB10E3/TR7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
UPTB10E3/TR7 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 10VWM 18VC POWERMITE 1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-216AA Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.33A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V Supplier Device Package: Powermite 1 (DO216-AA) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 11V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18V Power - Peak Pulse: 1000W (1kW) Power Line Protection: No |
товару немає в наявності |
|
 |
UPTB10E3/TR7 | Виробник : Microsemi |
ESD Suppressors / TVS Diodes Transient Voltage Suppressor |
товару немає в наявності |