
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
7500+ | 3.07 грн |
22500+ | 2.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис US1G-E3/5AT Vishay
Description: VISHAY - US1G-E3/5AT - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AC (SMA), Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: 50ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції US1G-E3/5AT за ціною від 2.65 грн до 24.97 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
US1G-E3/5AT | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
US1G-E3/5AT | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 4352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
US1G-E3/5AT | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 52500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
US1G-E3/5AT | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 52500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
US1G-E3/5AT | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
US1G-E3/5AT | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 1528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
US1G-E3/5AT | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 4352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
US1G-E3/5AT | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 1528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
US1G-E3/5AT | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V |
на замовлення 85225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
US1G-E3/5AT | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9917 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
US1G-E3/5AT | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |