на замовлення 172500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7500+ | 2.40 грн |
| 22500+ | 2.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис US1J-E3/5AT Vishay
Description: VISHAY - US1J-E3/5AT - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AC (SMA), Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.7V, Sperrverzögerungszeit: 75ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції US1J-E3/5AT за ціною від 2.52 грн до 30.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
US1J-E3/5AT | Виробник : Vishay |
 Diode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 172500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
US1J-E3/5AT | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 600V 1A 75ns 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
US1J-E3/5AT | Виробник : Vishay |
Diode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
US1J-E3/5AT | Виробник : Vishay |
Diode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
US1J-E3/5AT | Виробник : Vishay |
Diode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
US1J-E3/5AT | Виробник : Vishay |
Diode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
US1J-E3/5AT | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
US1J-E3/5AT | Виробник : Vishay |
Diode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 3536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
US1J-E3/5AT | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - US1J-E3/5AT - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 6259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
US1J-E3/5AT | Виробник : Vishay |
Diode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 5115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
US1J-E3/5AT | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.7V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 50µA Kind of package: 13 inch reel Quantity in set/package: 7500pcs. |
на замовлення 5753 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
US1J-E3/5AT | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 9597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
US1J-E3/5AT | Виробник : Vishay |
Diode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 3536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
US1J-E3/5AT | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - US1J-E3/5AT - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 6259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
US1J-E3/5AT | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 600 Volt 1.0A 75ns 30 Amp IFSM |
на замовлення 10130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|