Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > US1JHE3_A/H
US1JHE3_A/H

US1JHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division

us1_test_dcicons.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1800+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис US1JHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції US1JHE3_A/H за ціною від 10.74 грн до 40.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
US1JHE3_A/H US1JHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division us1_test_dcicons.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.03 грн
13+23.79 грн
100+15.18 грн
500+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US1JHE3_A/H US1JHE3_A/H Vishay Semiconductors us1_test_dcicons.pdf Rectifiers 600 Volt 1.0A 75ns 30 Amp IFSM
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
US1JHE3_A/H us1_test_dcicons.pdf
US1JHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.03 грн
13+23.79 грн
100+15.18 грн
500+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US1JHE3_A/H us1_test_dcicons.pdf
US1JHE3_A/H
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 600 Volt 1.0A 75ns 30 Amp IFSM
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.