US1JHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1800+ | 8.25 грн |
3600+ | 7.31 грн |
5400+ | 7.01 грн |
9000+ | 5.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис US1JHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції US1JHE3_A/H за ціною від 5.78 грн до 30.3 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
US1JHE3_A/H | Виробник : Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
US1JHE3_A/H | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
US1JHE3_A/H | Виробник : Vishay General Semiconductor | Rectifiers 600 Volt 1.0A 75ns 30 Amp IFSM |
на замовлення 6820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
US1JHE3_A/H | Виробник : Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
US1JHE3_A/H | Виробник : Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
US1JHE3_A/H | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 75ns Automotive 2-Pin SMA T/R |
товар відсутній |