US1K-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 24.63 грн |
| 19+ | 15.94 грн |
| 100+ | 10.84 грн |
| 500+ | 8.31 грн |
| 1000+ | 6.58 грн |
| 2000+ | 5.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис US1K-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V.
Інші пропозиції US1K-E3/5AT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
US1K-E3/5AT | Vishay Semiconductors |
Rectifiers 800 Volt 1.0A 75ns 30 Amp IFSM |
на замовлення 13472 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| US1K-E3/5AT |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 800 Volt 1.0A 75ns 30 Amp IFSM
Rectifiers 800 Volt 1.0A 75ns 30 Amp IFSM
на замовлення 13472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)