US6J12TCR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 2A TUMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 910mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис US6J12TCR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2A TUMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 910mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: TUMT6.
Інші пропозиції US6J12TCR за ціною від 12.95 грн до 43.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
US6J12TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2A TUMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 910mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
US6J12TCR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 1.5V Drive Pch+Pch MOSFET. US6J12 is low on-resistance MOSFET, suitable for switching application. |
на замовлення 1307 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|