Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > US6J12TCR
US6J12TCR

US6J12TCR ROHM Semiconductor

us6j12tcr-e-1873413.pdf Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET 1.5V Drive Pch+Pch MOSFET. US6J12 is low on-resistance MOSFET, suitable for switching application.
на замовлення 1307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.00 грн
10+40.39 грн
100+24.31 грн
500+20.32 грн
1000+17.27 грн
3000+15.02 грн
6000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис US6J12TCR ROHM Semiconductor

Description: MOSFET 2P-CH 12V 2A TUMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 910mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: TUMT6.

Інші пропозиції US6J12TCR за ціною від 18.78 грн до 73.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
US6J12TCR US6J12TCR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=US6J12&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 12V 2A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 910mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
на замовлення 2738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.79 грн
10+44.07 грн
100+28.75 грн
500+20.78 грн
1000+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
US6J12TCR US6J12TCR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=US6J12&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 12V 2A TUMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 910mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.