US6J12TCR ROHM Semiconductor
Виробник: ROHM SemiconductorMOSFET 1.5V Drive Pch+Pch MOSFET. US6J12 is low on-resistance MOSFET, suitable for switching application.
на замовлення 1307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 49.82 грн |
| 10+ | 41.92 грн |
| 100+ | 25.23 грн |
| 500+ | 21.09 грн |
| 1000+ | 17.92 грн |
| 3000+ | 15.59 грн |
| 6000+ | 14.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис US6J12TCR ROHM Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2A TUMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 910mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: TUMT6.
Інші пропозиції US6J12TCR за ціною від 19.49 грн до 76.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
US6J12TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2A TUMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 910mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT6 |
на замовлення 2738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
US6J12TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2A TUMT6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 910mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT6 |
товару немає в наявності |
