Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > US6K1TR
US6K1TR

US6K1TR Rohm Semiconductor

datasheet?p=US6K1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.75 грн
6000+14.37 грн
9000+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис US6K1TR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - US6K1TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.24 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TUMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.24ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції US6K1TR за ціною від 12.17 грн до 80.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
US6K1TR US6K1TR Rohm Semiconductor us6k1tr-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.5A 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
634+22.72 грн
658+21.89 грн
1000+21.18 грн
2500+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 634 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US6K1TR US6K1TR Rohm Semiconductor us6k1tr-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.5A 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
634+22.72 грн
658+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 634 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US6K1TR US6K1TR Rohm Semiconductor us6k1tr-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.5A 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 55295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
617+23.37 грн
620+23.24 грн
760+18.96 грн
1000+17.11 грн
3000+14.86 грн
6000+13.42 грн
12000+12.48 грн
24000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 617 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US6K1TR US6K1TR Rohm Semiconductor datasheet?p=US6K1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
на замовлення 24843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.11 грн
10+34.62 грн
100+23.95 грн
500+18.78 грн
1000+15.98 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US6K1TR US6K1TR ROHM Semiconductor datasheet?p=US6K1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 2N-CH 30V 1.5A
на замовлення 9548 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+80.14 грн
10+36.73 грн
100+27.73 грн
500+21.52 грн
1000+20.19 грн
3000+16.64 грн
6000+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US6K1TR US6K1TR ROHM us6k1tr-e.pdf Description: ROHM - US6K1TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.24 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.24ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
US6K1TR us6k1tr-e.pdf
US6K1TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.5A 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
634+22.72 грн
658+21.89 грн
1000+21.18 грн
2500+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 634 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US6K1TR us6k1tr-e.pdf
US6K1TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.5A 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
634+22.72 грн
658+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 634 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US6K1TR us6k1tr-e.pdf
US6K1TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.5A 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 55295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
617+23.37 грн
620+23.24 грн
760+18.96 грн
1000+17.11 грн
3000+14.86 грн
6000+13.42 грн
12000+12.48 грн
24000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 617 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US6K1TR datasheet?p=US6K1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
US6K1TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
на замовлення 24843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+42.11 грн
10+34.62 грн
100+23.95 грн
500+18.78 грн
1000+15.98 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US6K1TR datasheet?p=US6K1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
US6K1TR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 2N-CH 30V 1.5A
на замовлення 9548 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+80.14 грн
10+36.73 грн
100+27.73 грн
500+21.52 грн
1000+20.19 грн
3000+16.64 грн
6000+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US6K1TR us6k1tr-e.pdf
US6K1TR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - US6K1TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.24 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.24ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.