US6K4TR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 17.38 грн |
| 6000+ | 15.42 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис US6K4TR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: TUMT6, Part Status: Active.
Інші пропозиції US6K4TR за ціною від 15.21 грн до 77.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
US6K4TR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 1.5A 6-Pin TUMT T/R |
на замовлення 1019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
US6K4TR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 1.5A 6-Pin TUMT T/R |
на замовлення 2139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
US6K4TR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 1.5A 6-Pin TUMT T/R |
на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
US6K4TR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 1.5A 6-Pin TUMT T/R |
на замовлення 3050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
US6K4TR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 1.5A 6-Pin TUMT T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
US6K4TR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 1.5A 6-Pin TUMT T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
US6K4TR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 1.5A 6-Pin TUMT T/R |
на замовлення 4836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
US6K4TR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT6 Part Status: Active |
на замовлення 9287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
US6K4TR | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 1.5A |
на замовлення 4424 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| US6K4TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 1.5A 6-Pin TUMT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 1.5A 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 526+ | 27.08 грн |
| 546+ | 26.10 грн |
| 1000+ | 25.25 грн |
| US6K4TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 1.5A 6-Pin TUMT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 1.5A 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 452+ | 31.54 грн |
| 500+ | 30.40 грн |
| 1000+ | 29.42 грн |
| US6K4TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 1.5A 6-Pin TUMT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 1.5A 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 452+ | 31.54 грн |
| 500+ | 30.40 грн |
| 1000+ | 29.42 грн |
| 2500+ | 27.52 грн |
| 5000+ | 24.80 грн |
| US6K4TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 1.5A 6-Pin TUMT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 1.5A 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 346+ | 41.26 грн |
| US6K4TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 1.5A 6-Pin TUMT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 1.5A 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 336+ | 42.47 грн |
| 350+ | 40.77 грн |
| 500+ | 39.30 грн |
| 1000+ | 36.66 грн |
| 2500+ | 32.93 грн |
| US6K4TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 1.5A 6-Pin TUMT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 1.5A 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 318+ | 44.78 грн |
| US6K4TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 1.5A 6-Pin TUMT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 1.5A 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 4836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 300+ | 47.51 грн |
| 426+ | 33.50 грн |
| 536+ | 26.59 грн |
| 1000+ | 23.26 грн |
| 3000+ | 18.76 грн |
| US6K4TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
на замовлення 9287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 70.96 грн |
| 10+ | 42.63 грн |
| 100+ | 27.78 грн |
| 500+ | 20.08 грн |
| 1000+ | 18.16 грн |
| US6K4TR |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 1.5A
MOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 1.5A
на замовлення 4424 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 77.81 грн |
| 10+ | 35.24 грн |
| 100+ | 27.13 грн |
| 500+ | 21.50 грн |
| 1000+ | 21.35 грн |
| 3000+ | 16.67 грн |
| 6000+ | 15.21 грн |



