US6M11TR
Код товару: 174450
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції US6M11TR за ціною від 13.02 грн до 69.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
US6M11TR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 20V/12V 1.5A TUMT6Part Status: Active Supplier Device Package: TUMT6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 1.3A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 12V Power - Max: 1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
US6M11TR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 20V/12V 1.5A TUMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 1.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT6 Part Status: Active |
на замовлення 9635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
US6M11TR | ROHM Semiconductor |
MOSFETs TRANS MOSFET N/P-CH 20V/12V 6PIN |
на замовлення 18248 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| US6M11TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V/12V 1.5A TUMT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: TUMT6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 1.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 12V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N/P-CH 20V/12V 1.5A TUMT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: TUMT6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 1.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 12V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.13 грн |
| 6000+ | 13.32 грн |
| US6M11TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V/12V 1.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 20V/12V 1.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
на замовлення 9635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 69.12 грн |
| 10+ | 35.75 грн |
| 100+ | 21.04 грн |
| 500+ | 14.79 грн |
| 1000+ | 13.02 грн |
| US6M11TR |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TRANS MOSFET N/P-CH 20V/12V 6PIN
MOSFETs TRANS MOSFET N/P-CH 20V/12V 6PIN
на замовлення 18248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 69.26 грн |
| 10+ | 42.31 грн |
| 100+ | 23.95 грн |
| 500+ | 18.43 грн |
| 1000+ | 16.64 грн |
| 3000+ | 14.29 грн |
| 6000+ | 13.19 грн |


