US6X8TR Rohm Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 934+ | 13.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис US6X8TR Rohm Semiconductor
Description: NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 400mW, Current - Collector (Ic) (Max): 1A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 320MHz, Supplier Device Package: TUMT6.
Інші пропозиції US6X8TR за ціною від 14.49 грн до 61.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
US6X8TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: NPN+NPN DRIVER TRANSISTORPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 400mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: TUMT6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
US6X8TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 400mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: TUMT6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
US6X8TR | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN+NPN 30VCEO 1A SOT-363T |
на замовлення 2504 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|