USB10H
Виробник: на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис USB10H
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 700mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 441pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.9A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6.
Інші пропозиції USB10H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
USB10H | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 441pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
товару немає в наявності |