Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > USB50803C-AE3/TR7

USB50803C-AE3/TR7 Microchip Technology

Виробник: Microchip Technology
ESD Suppressor Diode TVS Bi-Dir 3.3V 11Vc 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис USB50803C-AE3/TR7 Microchip Technology

Description: TVS DIODE 3.3VWM 11VC 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Applications: Ethernet, Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs), Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Bidirectional Channels: 2, Voltage - Breakdown (Min): 4V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V, Power - Peak Pulse: 500W, Power Line Protection: No.

Інші пропозиції USB50803C-AE3/TR7

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
USB50803C-AE3/TR7	Виробник : MICROSEMI	SOIC 8/TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR USB50803 кількість в упаковці: 500 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
USB50803C-AE3/TR7	Виробник : Microchip Technology	Description: TVS DIODE 3.3VWM 11VC 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: Ethernet Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V Supplier Device Package: 8-SOIC Bidirectional Channels: 2 Voltage - Breakdown (Min): 4V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V Power - Peak Pulse: 500W Power Line Protection: No	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
USB50803C-AE3/TR7	Виробник : Microchip Technology	ESD Suppressors / TVS Diodes Diode Array	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
USB50803C-AE3/TR7	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: Protection diodes - arrays Description: Diode: TVS array; 4V; 5A; 500W; bidirectional; SO8; reel,tape Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Type of diode: TVS array Leakage current: 0.2mA Case: SO8 Max. off-state voltage: 3.3V Breakdown voltage: 4V Max. forward impulse current: 5A Peak pulse power dissipation: 0.5kW Semiconductor structure: bidirectional	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.