USB50812CE3/TR7 Microchip Technology
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 89.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис USB50812CE3/TR7 Microchip Technology
Category: Protection diodes - arrays, Description: Diode: TVS array; 13.3V; 5A; 500W; bidirectional; SO8; reel,tape, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Type of diode: TVS array, Leakage current: 1µA, Max. off-state voltage: 12V, Breakdown voltage: 13.3V, Max. forward impulse current: 5A, Case: SO8, Peak pulse power dissipation: 0.5kW, Semiconductor structure: bidirectional.
Інші пропозиції USB50812CE3/TR7 за ціною від 75.85 грн до 106.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
USB50812CE3/TR7 | Виробник : Microchip Technology |
 ESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS array 2 line Bi-dir, 300W (8/20us), Stand-off voltage = 12V |
на замовлення 229 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
USB50812CE3/TR7 | Виробник : Microchip Technology |
ESD Suppressor Diode TVS Bi-Dir 12V 26Vc 8-Pin SO T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
USB50812CE3/TR7 | Виробник : Microchip Technology |
ESD Suppressor Diode TVS Bi-Dir 12V 26Vc 8-Pin SO T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| USB50812CE3/TR7 |
|
на замовлення 5732 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
USB50812CE3/TR7 | Виробник : Microchip Technology |
ESD Suppressor Diode TVS Bi-Dir 12V 26Vc 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
USB50812CE3/TR7 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 12VWM 26VC 8-SO |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
USB50812CE3/TR7 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Protection diodes - arrays Description: Diode: TVS array; 13.3V; 5A; 500W; bidirectional; SO8; reel,tape Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Type of diode: TVS array Leakage current: 1µA Max. off-state voltage: 12V Breakdown voltage: 13.3V Max. forward impulse current: 5A Case: SO8 Peak pulse power dissipation: 0.5kW Semiconductor structure: bidirectional |
товару немає в наявності |