на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.51 грн |
| 10+ | 50.09 грн |
| 100+ | 30.09 грн |
| 500+ | 25.16 грн |
| 1000+ | 21.41 грн |
| 3000+ | 19.05 грн |
| 6000+ | 18.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UT6J3TCR ROHM Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: HUML2020L8, Part Status: Active.
Інші пропозиції UT6J3TCR за ціною від 20.20 грн до 87.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UT6J3TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A HUML2020L8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active |
на замовлення 1174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
UT6J3TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A HUML2020L8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
UT6J3TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A HUML2020L8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active |
товару немає в наявності |