| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 252+ | 72.23 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
252 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UT6J3TCR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: HUML2020L8, Part Status: Active.
Інші пропозиції UT6J3TCR за ціною від 18.19 грн до 91.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
UT6J3TCR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A HUML2020L8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active |
на замовлення 1174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
UT6J3TCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3A 8-Pin HUML EP T/R |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
UT6J3TCR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A HUML2020L8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active |
на замовлення 2835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
UT6J3TCR | ROHM Semiconductor |
MOSFETs -20V Pch+Pch Si MOSFET |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
UT6J3TCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3A 8-Pin HUML EP T/R |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| UT6J3TCR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 74.87 грн |
| 10+ | 45.28 грн |
| 100+ | 29.60 грн |
| 500+ | 21.44 грн |
| 1000+ | 19.39 грн |
| UT6J3TCR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 3A 8-Pin HUML EP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 3A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 78.21 грн |
| 14+ | 56.64 грн |
| UT6J3TCR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 84.22 грн |
| 10+ | 50.54 грн |
| 100+ | 33.19 грн |
| 500+ | 24.14 грн |
| 1000+ | 21.89 грн |
| UT6J3TCR |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs -20V Pch+Pch Si MOSFET
MOSFETs -20V Pch+Pch Si MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 91.44 грн |
| 10+ | 41.58 грн |
| 100+ | 32.09 грн |
| 500+ | 24.84 грн |
| 1000+ | 24.10 грн |
| 3000+ | 19.00 грн |
| 6000+ | 18.19 грн |
| UT6J3TCR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 3A 8-Pin HUML EP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 3A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




