Продукція > ROHM > UT6J3TCR1
UT6J3TCR1

UT6J3TCR1 ROHM

ut6j3tcr-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - UT6J3TCR1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.50 грн
500+34.42 грн
1000+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UT6J3TCR1 ROHM

Description: ROHM - UT6J3TCR1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.06 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції UT6J3TCR1 за ціною від 28.65 грн до 113.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UT6J3TCR1 UT6J3TCR1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=UT6J3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020-8D
на замовлення 2974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.28 грн
10+61.31 грн
100+47.72 грн
500+37.96 грн
1000+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
UT6J3TCR1 UT6J3TCR1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=UT6J3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs DFN2020 P CHAN 20V
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.03 грн
10+70.00 грн
25+60.80 грн
100+40.33 грн
500+31.63 грн
1000+28.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
UT6J3TCR1 UT6J3TCR1 Виробник : ROHM ut6j3tcr-e.pdf Description: ROHM - UT6J3TCR1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.53 грн
12+73.88 грн
100+50.50 грн
500+34.42 грн
1000+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
UT6J3TCR1 UT6J3TCR1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=UT6J3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020-8D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.