UT6JA3TCR ROHM Semiconductor
Виробник: ROHM SemiconductorMOSFETs UT6JA3 is a power MOSFET with low on-switching, suitable for switching.
на замовлення 3309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.72 грн |
| 10+ | 38.16 грн |
| 100+ | 22.95 грн |
| 500+ | 19.20 грн |
| 1000+ | 18.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UT6JA3TCR ROHM Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: HUML2020L8, Part Status: Active.
Інші пропозиції UT6JA3TCR за ціною від 24.32 грн до 92.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UT6JA3TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A HUML2020L8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active |
на замовлення 2203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
UT6JA3TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A HUML2020L8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active |
товару немає в наявності |