UT6JB5TCR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 40V 3.5A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.71 грн |
| 10+ | 53.90 грн |
| 100+ | 35.46 грн |
| 500+ | 25.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UT6JB5TCR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 40V 3.5A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: HUML2020L8, Part Status: Active.
Інші пропозиції UT6JB5TCR за ціною від 19.89 грн до 98.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UT6JB5TCR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs DFN2020 P CHAN 40V |
на замовлення 2340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UT6JB5TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 40V 3.5A HUML2020L8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active |
товару немає в наявності |