| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1539+ | 9.19 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1539 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UT6JB5TCR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - UT6JB5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.095 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції UT6JB5TCR за ціною від 38.37 грн до 85.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
UT6JB5TCR | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 40V 3.5A 8-Pin HUML T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
UT6JB5TCR | ROHM Semiconductor |
MOSFETs DFN2020 2PCH 40V 3.5A |
на замовлення 820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
UT6JB5TCR | ROHM |
Description: ROHM - UT6JB5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.095 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
UT6JB5TCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 3.5A 8-Pin HUML T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
UT6JB5TCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 3.5A 8-Pin HUML T/R |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 90 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
UT6JB5TCR | ROHM |
Description: ROHM - UT6JB5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.095 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| UT6JB5TCR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 3.5A 8-Pin HUML T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 3.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 85.70 грн |
| 14+ | 58.00 грн |
| 25+ | 57.41 грн |
| 50+ | 49.40 грн |
| 100+ | 38.37 грн |
| UT6JB5TCR |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs DFN2020 2PCH 40V 3.5A
MOSFETs DFN2020 2PCH 40V 3.5A
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| UT6JB5TCR |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - UT6JB5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - UT6JB5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| UT6JB5TCR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 3.5A 8-Pin HUML T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 3.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| UT6JB5TCR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 3.5A 8-Pin HUML T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 3.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| UT6JB5TCR |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - UT6JB5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - UT6JB5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)