UT6JB5TCR

UT6JB5TCR Rohm Semiconductor


datasheet?p=UT6JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 40V 3.5A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UT6JB5TCR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - UT6JB5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.095 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції UT6JB5TCR за ціною від 20.12 грн до 96.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UT6JB5TCR UT6JB5TCR Виробник : ROHM datasheet?p=UT6JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - UT6JB5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.14 грн
500+28.30 грн
1000+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
UT6JB5TCR UT6JB5TCR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=UT6JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs DFN2020 P CHAN 40V
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.34 грн
10+57.03 грн
100+33.85 грн
500+27.54 грн
1000+24.05 грн
3000+21.82 грн
6000+20.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
UT6JB5TCR UT6JB5TCR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=UT6JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 40V 3.5A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 3664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.92 грн
10+51.96 грн
100+34.19 грн
500+24.93 грн
1000+22.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
UT6JB5TCR UT6JB5TCR Виробник : ROHM datasheet?p=UT6JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - UT6JB5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+96.60 грн
14+59.88 грн
100+39.14 грн
500+28.30 грн
1000+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.