Інші пропозиції UT6JC5TCR транзистор за ціною від 19.12 грн до 67.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UT6JC5TCR | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - UT6JC5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.22 ohmtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.22ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.22ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UT6JC5TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.5A HUML2020L8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active |
на замовлення 776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UT6JC5TCR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - UT6JC5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.22 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.22ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.22ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UT6JC5TCR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs -60V Dual Pch+Pch, DFN2020, Power MOSFET |
на замовлення 8098 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UT6JC5TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 8-Pin HUML T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
UT6JC5TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.5A HUML2020L8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active |
товару немає в наявності |