Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > UT6JE5TCR
UT6JE5TCR

UT6JE5TCR ROHM Semiconductor

ut6je5tcr-e.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs -100V 1.0A, Dual Pch+Pch, DFN2020-8D, Power MOSFET
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+39.46 грн
14+24.05 грн
100+16.78 грн
500+15.95 грн
1000+15.33 грн
3000+12.08 грн
6000+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UT6JE5TCR ROHM Semiconductor

Description: MOSFET 2P-CH 100V 1A HUML2020L8, Supplier Device Package: HUML2020L8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 840mOhm @ 1A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Power - Max: 2W (Ta), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-PowerUDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції UT6JE5TCR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UT6JE5TCR UT6JE5TCR Rohm Semiconductor ut6je5tcr-e.pdf Description: MOSFET 2P-CH 100V 1A HUML2020L8
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 840mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6JE5TCR UT6JE5TCR Rohm Semiconductor ut6je5tcr-e.pdf Description: MOSFET 2P-CH 100V 1A HUML2020L8
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 840mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UT6JE5TCR ut6je5tcr-e.pdf
UT6JE5TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 100V 1A HUML2020L8
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 840mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6JE5TCR ut6je5tcr-e.pdf
UT6JE5TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 100V 1A HUML2020L8
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 840mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.