UT6K30TCR Rohm Semiconductor


ut6k30-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
258+55.95 грн
269+53.70 грн
500+51.77 грн
1000+48.29 грн
2500+43.39 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 258 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UT6K30TCR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 153mOhm @ 3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA, Supplier Device Package: HUML2020L8, Part Status: Active.

Інші пропозиції UT6K30TCR за ціною від 30.02 грн до 127.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UT6K30TCR UT6K30TCR ROHM Semiconductor datasheet?p=UT6K30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 60V Nch+Nch Power MOSFET
на замовлення 3067 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+115.60 грн
10+76.02 грн
100+47.25 грн
500+37.27 грн
1000+34.09 грн
3000+30.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6K30TCR UT6K30TCR Rohm Semiconductor datasheet?p=UT6K30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 153mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.90 грн
10+78.10 грн
100+52.34 грн
500+38.77 грн
1000+35.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6K30TCR datasheet?p=UT6K30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 60V Nch+Nch Power MOSFET
на замовлення 3067 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+115.60 грн
10+76.02 грн
100+47.25 грн
500+37.27 грн
1000+34.09 грн
3000+30.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6K30TCR datasheet?p=UT6K30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 153mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.90 грн
10+78.10 грн
100+52.34 грн
500+38.77 грн
1000+35.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.