UT6K30TCR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A HUML2020L8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 153mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 127.08 грн |
| 10+ | 77.61 грн |
| 100+ | 52.00 грн |
| 500+ | 38.52 грн |
| 1000+ | 35.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UT6K30TCR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A HUML2020L8, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Power - Max: 2W (Ta), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-PowerUDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: HUML2020L8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 153mOhm @ 3A, 10V.
Інші пропозиції UT6K30TCR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
UT6K30TCR | ROHM Semiconductor |
MOSFETs 60V Nch+Nch Power MOSFET |
на замовлення 3067 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| UT6K30TCR |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 60V Nch+Nch Power MOSFET
MOSFETs 60V Nch+Nch Power MOSFET
на замовлення 3067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)