UT6K3TCR1 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 403+ | 35.10 грн |
| 420+ | 33.70 грн |
| 500+ | 32.48 грн |
| 1000+ | 30.30 грн |
| 2500+ | 27.23 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
403 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UT6K3TCR1 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A HUML2020L8, Part Status: Active, Supplier Device Package: HUML2020L8, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 2W (Ta), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerUDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції UT6K3TCR1 за ціною від 25.29 грн до 95.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
UT6K3TCR1 | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin HUML EP T/R |
на замовлення 2427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
UT6K3TCR1 | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A HUML2020L8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active |
на замовлення 2961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
UT6K3TCR1 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs DFN2020 2NCH 30V 5.5A |
на замовлення 5749 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| UT6K3TCR1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin HUML EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 267+ | 53.16 грн |
| 500+ | 41.42 грн |
| 1000+ | 37.64 грн |
| UT6K3TCR1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 95.63 грн |
| 10+ | 57.59 грн |
| 100+ | 38.06 грн |
| 500+ | 27.83 грн |
| 1000+ | 25.29 грн |
| UT6K3TCR1 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs DFN2020 2NCH 30V 5.5A
MOSFETs DFN2020 2NCH 30V 5.5A
на замовлення 5749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)