UT6K3TCR1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.43 грн |
| 10+ | 52.99 грн |
| 100+ | 35.73 грн |
| 500+ | 26.13 грн |
| 1000+ | 23.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UT6K3TCR1 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: HUML2020L8, Part Status: Active.
Інші пропозиції UT6K3TCR1 за ціною від 25.83 грн до 117.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UT6K3TCR1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs DFN2020 N CHAN 30V |
на замовлення 5884 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UT6K3TCR1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A HUML2020L8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active |
товару немає в наявності |