на замовлення 5809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 81.79 грн |
| 10+ | 61.69 грн |
| 100+ | 35.56 грн |
| 500+ | 27.95 грн |
| 1000+ | 25.39 грн |
| 3000+ | 23.45 грн |
| 6000+ | 20.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UT6K3TCR1 ROHM Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: HUML2020L8, Part Status: Active.
Інші пропозиції UT6K3TCR1 за ціною від 24.95 грн до 93.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
UT6K3TCR1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A HUML2020L8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active |
на замовлення 2961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UT6K3TCR1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A HUML2020L8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active |
товару немає в наявності |

