UT6KB5TCR ROHM Semiconductor
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.13 грн |
| 10+ | 59.08 грн |
| 100+ | 39.48 грн |
| 500+ | 34.57 грн |
| 1000+ | 27.30 грн |
| 3000+ | 26.49 грн |
| 6000+ | 25.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UT6KB5TCR ROHM Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 5A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: HUML2020L8, Part Status: Active.
Інші пропозиції UT6KB5TCR за ціною від 28.66 грн до 115.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UT6KB5TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET 2N-CH 40V 5A HUML2020L8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active |
на замовлення 2062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UT6KB5TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 5A HUML2020L8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active |
товару немає в наявності |