| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1924+ | 7.35 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1924 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UT6KC5TCR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8DFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Power - Max: 2W (Ta), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerUDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: DFN2020-8D, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.5A, 10V.
Інші пропозиції UT6KC5TCR за ціною від 18.20 грн до 175.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
UT6KC5TCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin HUML T/R |
на замовлення 2832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UT6KC5TCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin HUML T/R |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UT6KC5TCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin HUML T/R |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UT6KC5TCR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8DFNSupplier Device Package: DFN2020-8D Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 2W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerUDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
UT6KC5TCR | ROHM Semiconductor |
MOSFETs AECQ |
на замовлення 858 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| UT6KC5TCR | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; 60V; 3.5A; 2W; DFN Type of transistor: N-MOSFET x2 Drain-source voltage: 60V Drain current: 3.5A Power dissipation: 2W Case: DFN Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.1nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2832 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| UT6KC5TCR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin HUML T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 412+ | 34.33 грн |
| 430+ | 32.95 грн |
| 500+ | 31.77 грн |
| 1000+ | 29.63 грн |
| 2500+ | 26.63 грн |
| UT6KC5TCR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin HUML T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 120.51 грн |
| 10+ | 91.24 грн |
| 25+ | 90.32 грн |
| 50+ | 73.92 грн |
| 100+ | 60.94 грн |
| 250+ | 53.33 грн |
| UT6KC5TCR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin HUML T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 118+ | 120.51 грн |
| 156+ | 91.24 грн |
| 157+ | 90.32 грн |
| 185+ | 73.92 грн |
| 208+ | 60.94 грн |
| 250+ | 53.33 грн |
| UT6KC5TCR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8DFN
Supplier Device Package: DFN2020-8D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8DFN
Supplier Device Package: DFN2020-8D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 175.57 грн |
| 10+ | 108.31 грн |
| 100+ | 73.82 грн |
| 500+ | 55.41 грн |
| 1000+ | 50.96 грн |
| UT6KC5TCR |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs AECQ
MOSFETs AECQ
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| UT6KC5TCR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; 60V; 3.5A; 2W; DFN
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: DFN
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.1nC
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; 60V; 3.5A; 2W; DFN
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: DFN
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.1nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 210+ | 24.84 грн |
| 300+ | 19.46 грн |
| 500+ | 18.70 грн |
| 1000+ | 18.20 грн |




