UT6KC5TCR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8DFN
Supplier Device Package: DFN2020-8D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 177.62 грн |
| 10+ | 109.57 грн |
| 100+ | 74.68 грн |
| 500+ | 56.06 грн |
| 1000+ | 51.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UT6KC5TCR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8DFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Power - Max: 2W (Ta), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerUDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: DFN2020-8D, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.5A, 10V.
Інші пропозиції UT6KC5TCR за ціною від 18.41 грн до 25.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UT6KC5TCR | ROHM Semiconductor |
MOSFETs AECQ |
на замовлення 893 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| UT6KC5TCR | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; 60V; 3.5A; 2W; DFN Type of transistor: N-MOSFET x2 Drain-source voltage: 60V Drain current: 3.5A Power dissipation: 2W Case: DFN Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.1nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2832 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| UT6KC5TCR |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs AECQ
MOSFETs AECQ
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| UT6KC5TCR |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; 60V; 3.5A; 2W; DFN
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: DFN
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.1nC
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; 60V; 3.5A; 2W; DFN
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: DFN
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.1nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 210+ | 25.13 грн |
| 300+ | 19.68 грн |
| 500+ | 18.92 грн |
| 1000+ | 18.41 грн |