
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 147.27 грн |
10+ | 105.50 грн |
100+ | 66.79 грн |
250+ | 66.71 грн |
500+ | 53.28 грн |
1000+ | 45.94 грн |
3000+ | 45.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UT6KC5TCR ROHM Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: DFN2020-8D.
Інші пропозиції UT6KC5TCR за ціною від 51.61 грн до 177.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
UT6KC5TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: DFN2020-8D |
на замовлення 1191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
UT6KC5TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: DFN2020-8D |
товару немає в наявності |