Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > UT6KC5TCR
UT6KC5TCR

UT6KC5TCR Rohm Semiconductor

ut6kc5tcr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1924+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 1924 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1924 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UT6KC5TCR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - UT6KC5TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.095 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції UT6KC5TCR за ціною від 18.14 грн до 175.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UT6KC5TCR UT6KC5TCR Rohm Semiconductor ut6kc5tcr-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
412+35.40 грн
430+33.98 грн
500+32.76 грн
1000+30.56 грн
2500+27.46 грн
Мінімальне замовлення: 412 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KC5TCR UT6KC5TCR Rohm Semiconductor ut6kc5tcr-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.27 грн
10+94.08 грн
25+93.14 грн
50+76.22 грн
100+62.84 грн
250+55.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KC5TCR UT6KC5TCR Rohm Semiconductor ut6kc5tcr-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+124.27 грн
156+94.08 грн
157+93.14 грн
185+76.22 грн
208+62.84 грн
250+55.00 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KC5TCR UT6KC5TCR ROHM Semiconductor datasheet?p=UT6KC5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs AECQ
на замовлення 3591 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+159.03 грн
10+75.48 грн
100+56.52 грн
500+47.34 грн
1000+44.37 грн
3000+38.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KC5TCR UT6KC5TCR Rohm Semiconductor datasheet?p=UT6KC5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020-8D
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.01 грн
10+107.97 грн
100+73.58 грн
500+55.24 грн
1000+50.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KC5TCR UT6KC5TCR ROHM ut6kc5tcr-e.pdf Description: ROHM - UT6KC5TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KC5TCR UT6KC5TCR ROHM ut6kc5tcr-e.pdf Description: ROHM - UT6KC5TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KC5TCR ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=UT6KC5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; 60V; 3.5A; 2W; DFN
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: DFN
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.1nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
210+24.76 грн
300+19.39 грн
500+18.64 грн
1000+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KC5TCR ut6kc5tcr-e.pdf
UT6KC5TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
412+35.40 грн
430+33.98 грн
500+32.76 грн
1000+30.56 грн
2500+27.46 грн
Мінімальне замовлення: 412 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KC5TCR ut6kc5tcr-e.pdf
UT6KC5TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+124.27 грн
10+94.08 грн
25+93.14 грн
50+76.22 грн
100+62.84 грн
250+55.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KC5TCR ut6kc5tcr-e.pdf
UT6KC5TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
118+124.27 грн
156+94.08 грн
157+93.14 грн
185+76.22 грн
208+62.84 грн
250+55.00 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KC5TCR datasheet?p=UT6KC5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UT6KC5TCR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs AECQ
на замовлення 3591 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+159.03 грн
10+75.48 грн
100+56.52 грн
500+47.34 грн
1000+44.37 грн
3000+38.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KC5TCR datasheet?p=UT6KC5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UT6KC5TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020-8D
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+175.01 грн
10+107.97 грн
100+73.58 грн
500+55.24 грн
1000+50.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KC5TCR ut6kc5tcr-e.pdf
UT6KC5TCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - UT6KC5TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KC5TCR ut6kc5tcr-e.pdf
UT6KC5TCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - UT6KC5TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KC5TCR datasheet?p=UT6KC5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; 60V; 3.5A; 2W; DFN
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: DFN
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.1nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
210+24.76 грн
300+19.39 грн
500+18.64 грн
1000+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.