
UT6KC5TCR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020-8D
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 177.83 грн |
10+ | 109.70 грн |
100+ | 74.77 грн |
500+ | 56.13 грн |
1000+ | 51.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UT6KC5TCR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: DFN2020-8D.
Інші пропозиції UT6KC5TCR за ціною від 47.48 грн до 188.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
UT6KC5TCR | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2355 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
UT6KC5TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: DFN2020-8D |
товару немає в наявності |