UT6KE5TCR

UT6KE5TCR ROHM Semiconductor


ut6ke5tcr-e.pdf Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs UT6KE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications and DC-DC Converter. This product includes two 100V MOSFETs in a small surface mount package (DFN2020-8D).
на замовлення 5640 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.80 грн
10+45.56 грн
100+26.12 грн
500+20.10 грн
1000+17.85 грн
3000+14.37 грн
9000+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UT6KE5TCR ROHM Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 100V 2A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 207mOhm @ 2A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: HUML2020L8.

Інші пропозиції UT6KE5TCR за ціною від 17.85 грн до 69.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UT6KE5TCR UT6KE5TCR Виробник : Rohm Semiconductor ut6ke5tcr-e.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 2A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 207mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.86 грн
10+42.10 грн
100+27.41 грн
500+19.77 грн
1000+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
UT6KE5TCR UT6KE5TCR Виробник : Rohm Semiconductor ut6ke5tcr-e.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 2A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 207mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.