
UT6KE5TCR ROHM Semiconductor

MOSFETs UT6KE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications and DC-DC Converter. This product includes two 100V MOSFETs in a small surface mount package (DFN2020-8D).
на замовлення 5640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 66.80 грн |
10+ | 45.56 грн |
100+ | 26.12 грн |
500+ | 20.10 грн |
1000+ | 17.85 грн |
3000+ | 14.37 грн |
9000+ | 13.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UT6KE5TCR ROHM Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 207mOhm @ 2A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: HUML2020L8.
Інші пропозиції UT6KE5TCR за ціною від 17.85 грн до 69.86 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
UT6KE5TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 207mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 |
на замовлення 2829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
UT6KE5TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 207mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 |
товару немає в наявності |