Продукція > Мікросхеми > Інші мікросхеми > UT6MA2TCR

UT6MA2TCR

datasheet?p=UT6MA2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Код товару: 184866
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Мікросхеми > Інші мікросхеми

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції UT6MA2TCR за ціною від 11.88 грн до 64.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UT6MA2TCR UT6MA2TCR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=UT6MA2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 15V, 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 10V, 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.78 грн
6000+13.98 грн
9000+13.36 грн
15000+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA2TCR UT6MA2TCR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=UT6MA2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 30V Nch+Pch Middle Power MOSFET
на замовлення 1442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.84 грн
10+37.67 грн
100+23.50 грн
500+17.59 грн
1000+15.37 грн
3000+13.00 грн
6000+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA2TCR UT6MA2TCR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=UT6MA2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 15V, 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 10V, 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 20328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.93 грн
10+39.10 грн
100+25.40 грн
500+18.31 грн
1000+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA2TCR Виробник : Fairchild/ON Semiconductor ut6ma2tcr-e.pdf Транзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 4 А, Qg, нКл = 4,3, 6,7, Rds = 46, 70 мОм, Ugs(th) = 2,5, Р, Вт = 2, Тексп, °C = макс. +150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: PowerUDFN-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+32.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.