Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції UT6MA2TCR за ціною від 13.77 грн до 86.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
UT6MA2TCR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 15V, 305pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 10V, 6.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UT6MA2TCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A 8-Pin HUML EP T/R |
на замовлення 765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UT6MA2TCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A 8-Pin HUML EP T/R |
на замовлення 2022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UT6MA2TCR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 15V, 305pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 10V, 6.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active |
на замовлення 37467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UT6MA2TCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A 8-Pin HUML EP T/R |
на замовлення 765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
UT6MA2TCR | ROHM Semiconductor |
MOSFETs 30V Nch+Pch Middle Power MOSFET |
на замовлення 7586 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
UT6MA2TCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A 8-Pin HUML EP T/R |
на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 183 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| UT6MA2TCR | Fairchild/ON Semiconductor |
Транзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 4 А, Qg, нКл = 4,3, 6,7, Rds = 46, 70 мОм, Ugs(th) = 2,5, Р, Вт = 2, Тексп, °C = макс. +150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerUDFN-6 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
| UT6MA2TCR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 15V, 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 10V, 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 15V, 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 10V, 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.26 грн |
| 9000+ | 13.77 грн |
| UT6MA2TCR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A 8-Pin HUML EP T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 263+ | 53.86 грн |
| 334+ | 42.36 грн |
| 405+ | 34.99 грн |
| 584+ | 23.38 грн |
| UT6MA2TCR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A 8-Pin HUML EP T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 251+ | 56.46 грн |
| UT6MA2TCR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 15V, 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 10V, 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 15V, 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 10V, 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 37467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 67.41 грн |
| 10+ | 40.31 грн |
| 50+ | 29.63 грн |
| 100+ | 24.58 грн |
| 500+ | 18.87 грн |
| UT6MA2TCR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A 8-Pin HUML EP T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 86.78 грн |
| 15+ | 53.86 грн |
| 50+ | 42.36 грн |
| 100+ | 33.74 грн |
| 500+ | 21.64 грн |
| UT6MA2TCR |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 30V Nch+Pch Middle Power MOSFET
MOSFETs 30V Nch+Pch Middle Power MOSFET
на замовлення 7586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| UT6MA2TCR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A 8-Pin HUML EP T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| UT6MA2TCR |
![]() |
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
Транзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 4 А, Qg, нКл = 4,3, 6,7, Rds = 46, 70 мОм, Ugs(th) = 2,5, Р, Вт = 2, Тексп, °C = макс. +150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerUDFN-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 4 А, Qg, нКл = 4,3, 6,7, Rds = 46, 70 мОм, Ugs(th) = 2,5, Р, Вт = 2, Тексп, °C = макс. +150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerUDFN-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 33.70 грн |




