Продукція > Мікросхеми > Інші мікросхеми > UT6MA2TCR

UT6MA2TCR

datasheet?p=UT6MA2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Код товару: 184866
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Мікросхеми > Інші мікросхеми

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції UT6MA2TCR за ціною від 11.72 грн до 66.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UT6MA2TCR UT6MA2TCR Rohm Semiconductor datasheet?p=UT6MA2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 15V, 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 10V, 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.08 грн
6000+14.25 грн
9000+13.62 грн
15000+12.11 грн
21000+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA2TCR UT6MA2TCR ROHM Semiconductor datasheet?p=UT6MA2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 30V Nch+Pch Middle Power MOSFET
на замовлення 1442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.39 грн
10+38.09 грн
100+23.77 грн
500+17.79 грн
1000+15.54 грн
3000+13.15 грн
6000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA2TCR UT6MA2TCR Rohm Semiconductor datasheet?p=UT6MA2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 15V, 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 10V, 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 25548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.46 грн
10+39.85 грн
100+25.90 грн
500+18.66 грн
1000+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA2TCR Fairchild/ON Semiconductor ut6ma2tcr-e.pdf Транзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 4 А, Qg, нКл = 4,3, 6,7, Rds = 46, 70 мОм, Ugs(th) = 2,5, Р, Вт = 2, Тексп, °C = макс. +150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerUDFN-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+33.70 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA2TCR datasheet?p=UT6MA2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UT6MA2TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 15V, 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 10V, 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.08 грн
6000+14.25 грн
9000+13.62 грн
15000+12.11 грн
21000+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA2TCR datasheet?p=UT6MA2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UT6MA2TCR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 30V Nch+Pch Middle Power MOSFET
на замовлення 1442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.39 грн
10+38.09 грн
100+23.77 грн
500+17.79 грн
1000+15.54 грн
3000+13.15 грн
6000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA2TCR datasheet?p=UT6MA2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UT6MA2TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 15V, 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 10V, 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 25548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.46 грн
10+39.85 грн
100+25.90 грн
500+18.66 грн
1000+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA2TCR ut6ma2tcr-e.pdf
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
Транзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 4 А, Qg, нКл = 4,3, 6,7, Rds = 46, 70 мОм, Ugs(th) = 2,5, Р, Вт = 2, Тексп, °C = макс. +150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerUDFN-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+33.70 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.