UT6MA3TCR Rohm Semiconductor
на замовлення 8481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 608+ | 20.04 грн |
| 610+ | 19.96 грн |
| 774+ | 15.74 грн |
| 1000+ | 13.77 грн |
| 3000+ | 10.87 грн |
| 6000+ | 9.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UT6MA3TCR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 5A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 5.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: HUML2020L8, Part Status: Active.
Інші пропозиції UT6MA3TCR за ціною від 22.16 грн до 105.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UT6MA3TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N/P-CH 20V 5A HUML2020L8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 5.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UT6MA3TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.5A/5A 8-Pin HUML EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UT6MA3TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.5A/5A 8-Pin HUML EP T/R |
на замовлення 1293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UT6MA3TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 5A HUML2020L8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 5.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active |
на замовлення 9398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UT6MA3TCR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 20V Nch+Pch Si MOSFET |
на замовлення 2540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| UT6MA3TCR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 5.5/-5A; Idm: 12A; 2W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 5.5/-5A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 2W Case: DFN2020D-8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 63/76mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4/6.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |