UT6MA3TCR Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 608+ | 23.29 грн |
| 610+ | 23.20 грн |
| 774+ | 18.29 грн |
| 1000+ | 16.00 грн |
| 3000+ | 12.63 грн |
| 6000+ | 11.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UT6MA3TCR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 5A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 5.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: HUML2020L8, Part Status: Active.
Інші пропозиції UT6MA3TCR за ціною від 25.37 грн до 98.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
UT6MA3TCR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 5A HUML2020L8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 5.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UT6MA3TCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.5A/5A 8-Pin HUML EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UT6MA3TCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.5A/5A 8-Pin HUML EP T/R |
на замовлення 1293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UT6MA3TCR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 5A HUML2020L8Part Status: Active Supplier Device Package: HUML2020L8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 5.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 2W Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 5436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
UT6MA3TCR | ROHM Semiconductor |
MOSFETs 20V Nch+Pch Si MOSFET |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| UT6MA3TCR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 5A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 20V 5A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 25.37 грн |
| UT6MA3TCR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.5A/5A 8-Pin HUML EP T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.5A/5A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 325+ | 43.57 грн |
| 339+ | 41.83 грн |
| 500+ | 40.32 грн |
| 1000+ | 37.61 грн |
| 2500+ | 33.79 грн |
| UT6MA3TCR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.5A/5A 8-Pin HUML EP T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.5A/5A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 1293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 325+ | 43.57 грн |
| 339+ | 41.83 грн |
| 500+ | 40.32 грн |
| 1000+ | 37.61 грн |
| UT6MA3TCR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 5A HUML2020L8
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 5.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N/P-CH 20V 5A HUML2020L8
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 5.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 98.41 грн |
| 10+ | 59.55 грн |
| 100+ | 39.40 грн |
| 500+ | 28.86 грн |
| 1000+ | 26.25 грн |
| UT6MA3TCR |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 20V Nch+Pch Si MOSFET
MOSFETs 20V Nch+Pch Si MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




