UT6MB5TCR Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1400+ | 10.11 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1400 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UT6MB5TCR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - UT6MB5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 3.5 A, 0.037 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції UT6MB5TCR за ціною від 22.83 грн до 87.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
UT6MB5TCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 5A/3.5A 8-Pin HUML T/R |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UT6MB5TCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 5A/3.5A 8-Pin HUML T/R |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UT6MB5TCR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 40V 5A HUML2020L8Supplier Device Package: HUML2020L8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V, 122mOhm @ 3.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 3.5A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 2W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
UT6MB5TCR | ROHM Semiconductor |
MOSFETs 40V 5.0A/3.5A Dual Nch+Pch, DFN2020-8D, Power MOSFET |
на замовлення 1763 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
UT6MB5TCR | ROHM |
Description: ROHM - UT6MB5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 3.5 A, 0.037 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
UT6MB5TCR | ROHM |
Description: ROHM - UT6MB5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 3.5 A, 0.037 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
UT6MB5TCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 5A/3.5A 8-Pin HUML T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| UT6MB5TCR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 40V 5A/3.5A 8-Pin HUML T/R
Trans MOSFET N/P-CH 40V 5A/3.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 86.70 грн |
| 13+ | 60.97 грн |
| 50+ | 50.27 грн |
| 100+ | 42.16 грн |
| 500+ | 28.77 грн |
| UT6MB5TCR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 40V 5A/3.5A 8-Pin HUML T/R
Trans MOSFET N/P-CH 40V 5A/3.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 164+ | 86.70 грн |
| 232+ | 60.97 грн |
| 282+ | 50.27 грн |
| 324+ | 42.16 грн |
| 500+ | 28.77 грн |
| UT6MB5TCR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 40V 5A HUML2020L8
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V, 122mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 3.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 40V 5A HUML2020L8
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V, 122mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 3.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 87.00 грн |
| 10+ | 52.53 грн |
| 100+ | 34.55 грн |
| 500+ | 25.17 грн |
| 1000+ | 22.83 грн |
| UT6MB5TCR |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 40V 5.0A/3.5A Dual Nch+Pch, DFN2020-8D, Power MOSFET
MOSFETs 40V 5.0A/3.5A Dual Nch+Pch, DFN2020-8D, Power MOSFET
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| UT6MB5TCR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - UT6MB5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 3.5 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - UT6MB5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 3.5 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| UT6MB5TCR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - UT6MB5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 3.5 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - UT6MB5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 3.5 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| UT6MB5TCR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 40V 5A/3.5A 8-Pin HUML T/R
Trans MOSFET N/P-CH 40V 5A/3.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





