UT6ME5TCR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 207mOhm @ 2A, 10V, 840mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 10V, 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.41 грн |
| 6000+ | 13.50 грн |
| 9000+ | 13.31 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UT6ME5TCR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 1A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 207mOhm @ 2A, 10V, 840mOhm @ 1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 10V, 6.7nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: HUML2020L8.
Інші пропозиції UT6ME5TCR за ціною від 13.38 грн до 72.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
UT6ME5TCR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A HUML2020L8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 1A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 207mOhm @ 2A, 10V, 840mOhm @ 1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 10V, 6.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 |
на замовлення 9169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UT6ME5TCR | ROHM Semiconductor |
MOSFETs DFN 100V 2A DUAL CH |
на замовлення 2240 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| UT6ME5TCR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 207mOhm @ 2A, 10V, 840mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 10V, 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 207mOhm @ 2A, 10V, 840mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 10V, 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
на замовлення 9169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 32.75 грн |
| 14+ | 22.30 грн |
| 25+ | 19.92 грн |
| 100+ | 16.22 грн |
| 250+ | 15.04 грн |
| 500+ | 14.33 грн |
| 1000+ | 13.52 грн |
| UT6ME5TCR |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs DFN 100V 2A DUAL CH
MOSFETs DFN 100V 2A DUAL CH
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 72.72 грн |
| 10+ | 32.82 грн |
| 100+ | 25.21 грн |
| 500+ | 19.37 грн |
| 1000+ | 16.86 грн |
| 3000+ | 13.38 грн |